सीव्हीडी टीएसी लेपित रिंग्ज

सेमीकोरेक्स सीव्हीडी टीएसी लेपित रिंग्ज हे क्रिस्टल ग्रोथ प्रक्रियेसाठी विशेषत: दिशानिर्देशिक सॉलिडिफिकेशन आणि कोझोक्रॅल्स्की (सीझेड) पुलिंग सिस्टममध्ये विशेषतः डिझाइन केलेले अचूक-इंजिनियर्ड घटक आहेत. हे सीव्हीडी टीएसी लेपित रिंग्ज फ्लो गाईड घटक म्हणून कार्य करतात - ज्याला सामान्यपणे "फ्लो गाईड रिंग्ज" किंवा "गॅस डिफ्लेक्शन रिंग्ज" म्हणून संबोधले जाते - आणि क्रिस्टल ग्रोथ टप्प्यात स्थिर गॅस फ्लो पॅटर्न आणि थर्मल वातावरण राखण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.

सिलिकॉन कार्बाईड वेफर ग्रोथचे उदाहरण म्हणून, थर्मल फील्ड मटेरियलमधील ग्रेफाइट मटेरियल आणि कार्बन-कार्बन कंपोझिट मटेरियल 2300 at वर जटिल वातावरण (एसआय, एसआयसी, सीआयसी) प्रक्रिया पूर्ण करणे कठीण आहे. केवळ सर्व्हिस लाइफचच नाही तर प्रत्येक ते दहा भट्टी बदलले जातात आणि उच्च तापमानात ग्रेफाइटचे डायलिसिस आणि अस्थिरता यामुळे कार्बन समावेशासारख्या क्रिस्टल दोष सहज होऊ शकतात. सेमीकंडक्टर क्रिस्टल्सची उच्च प्रतीची आणि स्थिर वाढ सुनिश्चित करण्यासाठी आणि औद्योगिक उत्पादनाच्या किंमतीचा विचार करण्यासाठी, अल्ट्रा-उच्च तापमान गंज-प्रतिरोधक सिरेमिक कोटिंग्ज ग्रेफाइट भागांच्या पृष्ठभागावर तयार केल्या जातात, ज्यामुळे ग्रेफाइट घटकांचे जीवन वाढेल, अशक्तपणाचे स्थलांतर प्रतिबंधित करते आणि क्रिस्टल शुद्धता सुधारते. सिलिकॉन कार्बाईडच्या एपिटॅक्सियल ग्रोथमध्ये, सिलिकॉन कार्बाईड लेपित ग्रेफाइट संवेदनाक्षम सामान्यत: सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट्स वाहून नेण्यासाठी आणि उष्णता देण्यासाठी वापरले जातात. त्यांचे सेवा जीवन अद्याप सुधारणे आवश्यक आहे आणि इंटरफेसवरील सिलिकॉन कार्बाइड ठेवी नियमितपणे साफ करणे आवश्यक आहे. याउलट,टँटलम कार्बाइड (टीएसी) कोटिंग्जसंक्षारक वातावरण आणि उच्च तापमानासाठी अधिक प्रतिरोधक आहेत आणि अशा एसआयसी क्रिस्टल्ससाठी "वाढणे, जाड होणे आणि चांगले वाढणे" हे मुख्य तंत्रज्ञान आहे.

टीएसीचा 3880 पर्यंतचा वितळणारा बिंदू आहे आणि त्यात उच्च यांत्रिक सामर्थ्य, कडकपणा आणि थर्मल शॉक प्रतिरोध आहे; त्यात उच्च तापमानात अमोनिया, हायड्रोजन आणि सिलिकॉन-युक्त वाष्पासाठी चांगले रासायनिक जडत्व आणि थर्मल स्थिरता आहे. ग्रॅफाइट (कार्बन-कार्बन कंपोझिट) टीएसी कोटिंग्जसह लेपित सामग्री पारंपारिक उच्च-शुद्धता ग्रेफाइट, पीबीएन कोटिंग्ज, एसआयसी कोटेड भाग इत्यादी पुनर्स्थित करते. तथापि, ग्रेफाइटच्या पृष्ठभागावर दाट, एकसमान आणि नॉन-फ्लेकिंग टीएसी कोटिंग्ज तयार करण्यासाठी आणि औद्योगिक वस्तुमान उत्पादनास प्रोत्साहित करण्यासाठी अद्याप बरीच आव्हाने आहेत. या प्रक्रियेमध्ये, कोटिंगच्या संरक्षण यंत्रणेचे अन्वेषण करणे, उत्पादन प्रक्रियेचे नाविन्यपूर्ण करणे आणि अव्वल परदेशी पातळीशी स्पर्धा करणे तृतीय-पिढीतील सेमीकंडक्टर क्रिस्टल ग्रोथ आणि एपिटॅक्सीसाठी महत्त्वपूर्ण आहे.

पारंपारिक ग्रेफाइटचा संच वापरुन एसआयसी पीव्हीटी प्रक्रिया आणिसीव्हीडी टीएसी लेपिततापमान वितरणावर एमिसिव्हिटीचा प्रभाव समजण्यासाठी रिंग्जचे मॉडेलिंग केले गेले, ज्यामुळे वाढीचा दर आणि आयएनजीओटी आकारात बदल होऊ शकतात. हे दर्शविले गेले आहे की सीव्हीडी टीएसी लेपित रिंग्ज विद्यमान ग्रेफाइटच्या तुलनेत अधिक एकसमान तापमान साध्य करतील. याव्यतिरिक्त, टीएसी कोटिंगची उत्कृष्ट थर्मल आणि रासायनिक स्थिरता एसआय वाफसह कार्बनची प्रतिक्रिया प्रतिबंधित करते. परिणामी, टीएसी कोटिंग रेडियल दिशेने सी/सी चे वितरण अधिक एकसमान बनवते.