एपिटॅक्सियल वेफर प्रक्रिया हे सेमीकंडक्टर उत्पादनात वापरले जाणारे एक गंभीर तंत्र आहे. यामध्ये सब्सट्रेटच्या वर क्रिस्टल मटेरियलच्या पातळ थराची वाढ होते, ज्याची क्रिस्टल रचना आणि सब्सट्रेट सारखीच दिशा असते. ही प्रक्रिया दोन सामग्रीमध्ये उच्च-गुणवत्तेचा इंटरफेस तयार करते, प्रगत इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या विकासास अनुमती देते.

डायोड, ट्रान्झिस्टर आणि इंटिग्रेटेड सर्किट्ससह विविध सेमीकंडक्टर उपकरणांच्या निर्मितीमध्ये एपिटॅक्सियल वेफर प्रक्रिया वापरली जाते. प्रक्रिया सामान्यत: रासायनिक वाष्प संचय (CVD) किंवा आण्विक बीम एपिटॅक्सी (MBE) तंत्र वापरून केली जाते. या तंत्रांमध्ये सामग्रीच्या अणूंचा थर पृष्ठभागावर जमा करणे समाविष्ट आहे, जेथे ते स्फटिकासारखे थर तयार करतात.

एपिटॅक्सियल वेफर प्रक्रिया ही एक जटिल आणि अचूक तंत्र आहे ज्यासाठी तापमान, दाब आणि वायू प्रवाह दर यासारख्या विविध पॅरामीटर्सवर कठोर नियंत्रण आवश्यक आहे. कमी दोष घनतेसह उच्च-गुणवत्तेच्या क्रिस्टल स्ट्रक्चरची निर्मिती सुनिश्चित करण्यासाठी एपिटॅक्सियल लेयरची वाढ काळजीपूर्वक नियंत्रित करणे आवश्यक आहे.

एपिटॅक्सियल वेफर प्रक्रियेची गुणवत्ता परिणामी सेमीकंडक्टर उपकरणाच्या कार्यक्षमतेसाठी महत्त्वपूर्ण आहे. इष्टतम इलेक्ट्रॉनिक गुणधर्म सुनिश्चित करण्यासाठी एपिटॅक्सियल लेयरमध्ये एकसमान जाडी, कमी दोष घनता आणि उच्च पातळीची शुद्धता असणे आवश्यक आहे. एपिटॅक्सियल लेयरची जाडी आणि डोपिंग पातळी तंतोतंत नियंत्रित केली जाऊ शकते ज्यामुळे इच्छित गुणधर्म प्राप्त होतात, जसे की चालकता आणि बँडगॅप.

अलिकडच्या वर्षांत, उच्च-कार्यक्षमता असलेल्या सेमीकंडक्टर उपकरणांच्या उत्पादनात, विशेषत: पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्सच्या क्षेत्रात एपिटॅक्सियल वेफर प्रक्रिया अधिक महत्त्वाची बनली आहे. सुधारित कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हतेसह उच्च-कार्यक्षमता उपकरणांच्या मागणीने प्रगत एपिटॅक्सियल वेफर प्रक्रियेच्या विकासास चालना दिली आहे.

तापमान सेन्सर्स, गॅस सेन्सर्स आणि प्रेशर सेन्सर्ससह प्रगत सेन्सर्सच्या विकासामध्ये एपिटॅक्सियल वेफर प्रक्रिया देखील वापरली जात आहे. या सेन्सर्सना विशिष्ट इलेक्ट्रॉनिक गुणधर्मांसह उच्च-गुणवत्तेचे क्रिस्टलीय स्तर आवश्यक आहेत, जे एपिटॅक्सियल वेफर प्रक्रियेद्वारे प्राप्त केले जाऊ शकतात.