सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सबस्ट्रेट्सचे मुख्य पॅरामीटर्स

जाळी पॅरामीटर्स:सब्सट्रेटचा जाळीचा स्थिरांक वाढवल्या जाणाऱ्या एपिटॅक्सियल लेयरशी जुळतो याची खात्री करणे दोष आणि तणाव कमी करण्यासाठी महत्त्वपूर्ण आहे.

स्टॅकिंग क्रम:ची मॅक्रोस्कोपिक रचनाSiC1:1 च्या प्रमाणात सिलिकॉन आणि कार्बन अणूंचा समावेश होतो. तथापि, विविध अणू स्तरांच्या व्यवस्थेमुळे विविध क्रिस्टल संरचना तयार होतात. त्यामुळे,SiCअसंख्य पॉलीटाइप प्रदर्शित करते, जसे की3C-SiC, 4H-SiC आणि 6H-SiC, अनुक्रमे ABC, ABCB, ABCACB सारख्या स्टॅकिंग अनुक्रमांशी संबंधित.

मोह्स कडकपणा:सब्सट्रेटची कडकपणा निश्चित करणे आवश्यक आहे कारण ते प्रक्रिया सुलभतेवर आणि पोशाख प्रतिरोधनावर परिणाम करते.

घनता:घनता यांत्रिक शक्ती आणि थर्मल गुणधर्मांवर परिणाम करतेथर.

थर्मल विस्तार गुणांक:हे ज्या दराने संदर्भित करतेथरजेव्हा तापमान एक अंश सेल्सिअसने वाढते तेव्हा त्याची लांबी किंवा आकारमान त्याच्या मूळ परिमाणांच्या तुलनेत वाढते. सब्सट्रेटच्या थर्मल विस्तार गुणांकांची सुसंगतता आणि तापमान भिन्नता अंतर्गत एपिटॅक्सियल लेयर डिव्हाइसच्या थर्मल स्थिरतेवर प्रभाव पाडते.

अपवर्तन निर्देशांक:ऑप्टिकल ऍप्लिकेशन्ससाठी, रिफ्रॅक्टिव्ह इंडेक्स ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या डिझाइनमध्ये एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे.

डायलेक्ट्रिक स्थिरांक:हे डिव्हाइसच्या कॅपेसिटिव्ह गुणधर्मांवर परिणाम करते.

औष्मिक प्रवाहकता:उच्च-शक्ती आणि उच्च-तापमान अनुप्रयोगांसाठी महत्त्वपूर्ण, थर्मल चालकता डिव्हाइसच्या कूलिंग कार्यक्षमतेवर प्रभाव पाडते.

बँड-गॅप:बँड-गॅप सेमीकंडक्टर सामग्रीमध्ये व्हॅलेन्स बँडचा वरचा भाग आणि वहन बँडच्या तळाशी असलेल्या ऊर्जा फरकाचे प्रतिनिधित्व करते. हा ऊर्जा फरक इलेक्ट्रॉन्स व्हॅलेन्स बँडपासून वहन बँडमध्ये संक्रमण करू शकतो की नाही हे निर्धारित करतो. वाइड बँड-गॅप सामग्रीस इलेक्ट्रॉन संक्रमण उत्तेजित करण्यासाठी अधिक ऊर्जा आवश्यक असते.

ब्रेक-डाउन इलेक्ट्रिकल फील्ड:हे जास्तीत जास्त व्होल्टेज आहे जे अर्धसंवाहक सामग्री सहन करू शकते.

संपृक्तता प्रवाह वेग:हे विद्युत क्षेत्राच्या अधीन असताना अर्धसंवाहक सामग्रीमध्ये चार्ज वाहक प्राप्त करू शकणाऱ्या कमाल सरासरी वेगाचा संदर्भ देते. जेव्हा विद्युत क्षेत्राची ताकद एका विशिष्ट मर्यादेपर्यंत वाढते, तेव्हा वाहक वेग यापुढे फील्डमध्ये आणखी वाढीसह वाढत नाही, ज्याला संपृक्तता प्रवाह वेग म्हणून ओळखले जाते.**

Semicorex SiC Substrates साठी उच्च-गुणवत्तेचे घटक ऑफर करते. आपल्याकडे काही चौकशी असल्यास किंवा अतिरिक्त तपशीलांची आवश्यकता असल्यास, कृपया आमच्याशी संपर्क साधण्यास अजिबात संकोच करू नका.