- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
उद्योग बातम्या
PVT पद्धतीने AlN क्रिस्टल वाढ
गॅलियम नायट्राइड (GaN), सिलिकॉन कार्बाइड (SiC), आणि ॲल्युमिनियम नायट्राइड (AlN) सह वाइड बँडगॅप सेमीकंडक्टर सामग्रीची तिसरी पिढी उत्कृष्ट इलेक्ट्रिकल, थर्मल आणि अकोस्टो-ऑप्टिकल गुणधर्म प्रदर्शित करते. हे साहित्य सेमीकंडक्टर मटेरियलच्या पहिल्या आणि दुसऱ्या पिढीच्या मर्यादांना संबोधित करतात, सेमीकंडक्ट......
पुढे वाचा
चिप मॅन्युफॅक्चरिंगमध्ये SiGe: एक व्यावसायिक बातम्या अहवाल
आधुनिक सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानाच्या क्षेत्रात उच्च कार्यक्षमता आणि कमी उर्जा वापराच्या मागणीची पूर्तता करण्यासाठी, SiGe (सिलिकॉन जर्मेनियम) त्याच्या अद्वितीय भौतिक आणि विद्युत गुणधर्मांमुळे सेमीकंडक्टर चिप उत्पादनामध्ये निवडीची एक संमिश्र सामग्री म्हणून उदयास आली आहे.
पुढे वाचा
सेमीकंडक्टरमधील एकक: अँग्स्ट्रॉम
लांबीचे एकक म्हणून, अँग्स्ट्रॉम (Å) एकात्मिक सर्किट उत्पादनामध्ये सर्वव्यापी आहे. सामग्रीच्या जाडीच्या अचूक नियंत्रणापासून ते उपकरणाच्या आकाराचे सूक्ष्मीकरण आणि ऑप्टिमायझेशनपर्यंत, सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानाचा सतत विकास सुनिश्चित करण्यासाठी अँग्स्ट्रॉम स्केल समजून घेणे आणि त्याचा वापर करणे हा मुख्य भाग......
पुढे वाचा
