TaC कोटिंगसह सच्छिद्र ग्रेफाइट

TaC कोटिंगसह Semicorex सच्छिद्र ग्रेफाइट, TaC कोटिंगच्या संरक्षणात्मक आणि वाढवण्याच्या क्षमतेसह सच्छिद्र ग्रेफाइटचे अद्वितीय गुणधर्म एकत्र करते, उच्च-तापमान क्रुसिबलमध्ये वापरल्या जाणाऱ्या पारंपारिक सामग्रीपेक्षा लक्षणीय सुधारणा देते.

ग्रेफाइट आणि सच्छिद्र ग्रेफाइट, त्यांच्या थर्मल स्थिरता आणि विद्युत चालकतेसाठी मोठ्या प्रमाणावर वापरले जात असताना, उच्च-तापमान वातावरणात महत्त्वपूर्ण आव्हाने आहेत. सच्छिद्र ग्रेफाइट, विशेषतः, त्याच्या उच्च पारगम्यतेसाठी प्राधान्य दिले जाते, जे चांगले वायू प्रवाह आणि समान तापमान वितरणास अनुमती देते. तथापि, त्याच्या उच्च सच्छिद्रतेमुळे ते यांत्रिकरित्या कमकुवत बनते, ज्यामुळे मशीनिंग आणि सामग्रीला अचूकपणे आकार देण्यात अडचणी येतात. याव्यतिरिक्त, सच्छिद्र संरचनेचा परिणाम कण शेडिंगमध्ये होऊ शकतो, ज्यामुळे SiC क्रिस्टल्स दूषित होतात. सच्छिद्र ग्रेफाइट उच्च तापमान आणि प्रतिक्रियाशील वातावरणात रासायनिक कोरीव काम आणि ऱ्हासास देखील संवेदनाक्षम आहे, क्रूसिबलच्या अखंडतेशी तडजोड करते. त्याचप्रमाणे, टँटलम कार्बाइड (TaC) पावडरचा वापर अनेकदा ग्रेफाइटमध्ये कोट करण्यासाठी किंवा त्याचे गुणधर्म वाढविण्यासाठी केला जातो, परंतु त्यांचा एकसमान वापर आणि चिकटणे आव्हानात्मक असू शकते, ज्यामुळे असमान पृष्ठभाग आणि संभाव्य दूषितता होऊ शकते.

TaC कोटिंग उत्पादनासह सच्छिद्र ग्रेफाइट दोन्ही सामग्रीचे उत्कृष्ट गुणधर्म एकत्रित करून वरील आव्हानांवर प्रभावीपणे मात करते:

वर्धित यांत्रिक सामर्थ्य: TaC कोटिंग सच्छिद्र ग्रेफाइटची यांत्रिक सामर्थ्य लक्षणीयरीत्या वाढवते, TaC कोटिंगसह सच्छिद्र ग्रेफाइट सामग्रीच्या संरचनात्मक अखंडतेशी तडजोड न करता मशीन आणि आकार देणे सोपे करते.

कमी झालेले पार्टिकल शेडिंग: टीएसी कोटिंग सच्छिद्र ग्रेफाइटवर एक संरक्षणात्मक थर बनवते, ज्यामुळे कण कमी होण्याची आणि SiC क्रिस्टल्सची दूषित होण्याची शक्यता कमी होते.

सुधारित रासायनिक प्रतिकार: TaC रासायनिक कोरीव आणि ऱ्हासास अत्यंत प्रतिरोधक आहे, एक टिकाऊ अडथळा प्रदान करते जो सच्छिद्र ग्रेफाइटला प्रतिक्रियाशील वायू आणि उच्च-तापमान वातावरणापासून संरक्षण करतो.

थर्मल स्थिरता आणि चालकता: ग्रेफाइट आणि TaC दोन्ही उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता आणि चालकता प्रदर्शित करतात. TaC कोटिंगसह सच्छिद्र ग्रेफाइटचे संयोजन हे सुनिश्चित करते की क्रूसिबल समान तापमान वितरण राखते, जे SiC क्रिस्टल्सच्या दोषमुक्त वाढीसाठी महत्त्वपूर्ण आहे.

ऑप्टिमाइज्ड पारगम्यता: ग्रेफाइटची अंतर्निहित सच्छिद्रता कार्यक्षम वायू प्रवाह आणि थर्मल व्यवस्थापनास अनुमती देते, तर TaC कोटिंग सामग्रीच्या अखंडतेशी तडजोड न करता ही पारगम्यता राखली जाईल याची खात्री करते.

TaC कोटिंगसह Semicorex पोरस ग्रेफाइट SiC क्रिस्टल वाढीसाठी वापरल्या जाणाऱ्या सामग्रीमध्ये लक्षणीय प्रगती दर्शवते. पारंपारिक ग्रेफाइट आणि TaC पावडरशी संबंधित यांत्रिक, रासायनिक आणि थर्मल आव्हानांना संबोधित करून, TaC कोटिंगसह सच्छिद्र ग्रेफाइट कमी दोषांसह उच्च दर्जाचे SiC क्रिस्टल्स सुनिश्चित करते. सच्छिद्र ग्रेफाइटची पारगम्यता आणि TaC च्या संरक्षणात्मक गुणधर्मांचे संयोजन उच्च-तापमान अनुप्रयोगांसाठी एक मजबूत समाधान देते, ज्यामुळे ते प्रगत सेमीकंडक्टर आणि इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या निर्मितीमध्ये एक आवश्यक सामग्री बनते.