सी एपिटॅक्सी

Si epitaxy विशिष्ट स्तर गुणधर्मांचे अभियांत्रिकी सक्षम करते, जसे की जाडी, डोपिंग एकाग्रता आणि रचना. एपिटॅक्सियल लेयरमध्ये डोपेंट्स म्हणून ओळखल्या जाणार्‍या अशुद्धतेच्या नियंत्रित प्रमाणात समाविष्ट करून, परिणामी उपकरणांची विद्युत वैशिष्ट्ये अचूकपणे तयार केली जाऊ शकतात. हे विविध प्रकारचे चालकता प्रकार (n-प्रकार किंवा p-प्रकार) आणि इच्छित वाहक एकाग्रतेसह भिन्न प्रदेश तयार करण्यास सक्षम करते, ज्यामुळे जटिल इलेक्ट्रॉनिक सर्किट्सचे एकत्रीकरण होऊ शकते.

मायक्रोप्रोसेसर, मेमरी चिप्स, इमेज सेन्सर्स आणि सौर पेशींसह प्रगत अर्धसंवाहक उपकरणांच्या निर्मितीमध्ये Si epitaxy ही मूलभूत प्रक्रिया आहे. हे उपकरण कार्यप्रदर्शन, लघुकरण आणि कार्यक्षमता सुधारण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते. भौतिक गुणधर्मांवर अचूक नियंत्रणासह उच्च-गुणवत्तेचे एपिटॅक्सियल स्तर जमा करण्याची क्षमता सेमीकंडक्टर उद्योगातील चालू प्रगती आणि नवकल्पनामध्ये योगदान देते.