SiC-लेपित ग्रेफाइट क्रूसिबल्स

उच्च तापमानाच्या क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेसच्या मध्यभागी स्थापित,SiC-लेपितसंपूर्ण थर्मल फील्ड सिस्टम तयार करण्यासाठी ग्रेफाइट क्रूसिबल हीटर, थर्मल इन्सुलेशन स्लीव्हज, फ्लो गाइड ट्यूब आणि क्रूसिबल शाफ्ट यांच्या संयोगाने कार्य करतात. ही थर्मल फील्ड प्रणाली क्रिस्टल वाढीसाठी आवश्यक स्थिर उच्च-तापमान वातावरण राखू शकते.

SiC-लेपित उत्पादनग्रेफाइट क्रूसिबल्ससामान्यत: प्रगत रासायनिक बाष्प जमा करण्याच्या तंत्रज्ञानाच्या वापराने एकसमान घनता जमा करण्यासाठी सुरुवात होतेसिलिकॉन कार्बाइडतयार झालेल्या ग्रेफाइट सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर कोटिंग. उच्च-शुद्धतेने बनलेलाग्रेफाइटसब्सट्रेट आणि दाट सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग, SiC-कोटेड ग्रेफाइट क्रूसिबल एक सिनेर्जिस्टिक रचना बनवते जी ग्रेफाइटची थर्मल चालकता सिलिकॉन कार्बाइडच्या गंज प्रतिरोधनासह एकत्र करते.

Czochralski पद्धत क्रिस्टल वाढीसाठी सार्वत्रिक औद्योगिक तंत्र आहे. हे तंत्र क्रिस्टल उत्पादनादरम्यान क्रूसिबलवर केंद्रापसारक शक्ती लागू करेल. SiC-कोटेड ग्रेफाइट क्रूसिबल्सची उत्कृष्ट लवचिक शक्ती आणि कडकपणा उच्च-स्पीड रोटेशन दरम्यान तुटणे किंवा क्रॅक होण्यापासून रोखू शकते, क्रुसिबलच्या नुकसानीमुळे होणारे उत्पादन व्यत्यय प्रभावीपणे कमी करते. याव्यतिरिक्त, क्रुसिबलला या प्रक्रियेदरम्यान कमी कालावधीत तापमानातील तीव्र चढउतारांना सामोरे जावे लागते. त्यांच्या उल्लेखनीय थर्मल शॉक प्रतिरोधाबद्दल धन्यवाद, SiC-कोटेड ग्रेफाइट क्रुसिबल थर्मल स्ट्रेसशी संबंधित संरचनात्मक नुकसान कमी करू शकतात, त्यांच्या आकाराची स्थिरता सुनिश्चित करू शकतात, ज्यामुळे क्रूसिबल विकृतीमुळे क्रिस्टल वाढीचे दोष कमी होतात.

उच्च तापमानात, SiC-कोटेड ग्रेफाइट क्रूसिबल्स सिलिकॉन कार्बाइडचा दाट संरक्षणात्मक थर तयार करतील. हा संरक्षक थर ग्रेफाइट सब्सट्रेटला सिलिकॉन बाष्प आणि वितळलेल्या सिलिकॉनपासून वेगळे करू शकतो, ज्यामुळे कोटिंग पीलिंगशी संबंधित ग्रेफाइट सब्सट्रेट गंज आणि क्रिस्टल दूषित होण्याचा धोका कमी होतो. त्यामुळे, सेमिकोरेक्सचे SiC-कोटेड ग्रेफाइट क्रूसिबल्स वास्तविक ऑपरेशनमध्ये विस्तारित कालावधीसाठी विविध जटिल उच्च-तापमान गंज वातावरणाचा सामना करू शकतात. हे सुसंगत क्रिस्टल रचना सुनिश्चित करते आणि दोष दर कमी करते, जे दोन्ही उच्च दर्जाचे अर्धसंवाहक क्रिस्टल्सच्या उत्पादनासाठी आवश्यक आहेत.