SiC लेपित हाफमून भाग

प्रीमियम सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सह लेपित केलेले हाफमून पार्ट्स हे वेफर वाहक आणि थर्मल कंडक्टर दोन्ही म्हणून एपिटॅक्सी प्रक्रियेचे एक आवश्यक वैशिष्ट्य आहे. त्यांचा विशिष्ट अर्ध-चंद्र आकार दंडगोलाकार स्वरूपात एकत्रित करण्याची एक पद्धत प्रदान करतो जो एपिटॅक्सियल अणुभट्ट्यांमध्ये स्थिरता म्हणून काम करतो. चेंबर किंवा अणुभट्टीच्या वातावरणात, वेफर्स सुरक्षित करणे आवश्यक आहे परंतु गंभीर पातळ-फिल्म डिपॉझिशन होत असताना ते एकसारखे गरम करणे देखील आवश्यक आहे. SiC कोटेड हाफमून पार्ट्स ही कामे करण्यासाठी योग्य प्रमाणात यांत्रिक समर्थन, थर्मल स्थिरता आणि रासायनिक टिकाऊपणा पुरवतात.

ग्रेफाइटहाफमून पार्ट्ससाठी सब्सट्रेट मटेरियल आहे आणि त्याची खूप चांगली थर्मल चालकता आणि तुलनेने कमी वजन आणि ताकद यामुळे निवडली जाते. ग्रेफाइटचा पृष्ठभाग दाट उच्च-शुद्धता रासायनिक वाष्प जमा केलेल्या सिलिकॉन कार्बाइड (CVD SiC) पृष्ठभागाने झाकलेला असतो जेणेकरुन एपिटॅक्सियल वाढीशी संबंधित आक्रमक वातावरणाविरूद्ध मजबूत असेल. SiC कोटिंग भागांच्या पृष्ठभागाची कडकपणा सुधारते आणि हायड्रोजन आणि क्लोरीन सारख्या प्रतिक्रियाशील वायूंना प्रतिरोध प्रदान करते, प्रक्रिया दरम्यान चांगली दीर्घकालीन स्थिरता आणि अत्यंत मर्यादित प्रदूषण प्रदान करते. रासायनिक आणि थर्मल गुणधर्मांसह यांत्रिक शक्तीचे योग्य संतुलन प्रदान करण्यासाठी ग्रेफाइट आणि SiC हाफमून पार्ट्समध्ये एकत्र काम करतात.

च्या सर्वात महत्वाच्या भूमिकांपैकी एकSiC लेपितहाफमून पार्ट्स हा वेफर्सचा आधार आहे. क्रिस्टलीय स्तरांमध्ये जाळीच्या संरचनेची समान वाढ सुलभ करण्यासाठी संपूर्ण एपिटॅक्सीमध्ये वेफर्स सपाट आणि स्थिर असणे अपेक्षित आहे. सहाय्यक भागांमध्ये कोणत्याही प्रमाणात लवचिकता किंवा अस्थिरता एपिटॅक्सीमध्ये दोषांचे स्तर आणू शकते आणि शेवटी डिव्हाइसच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करू शकते. हाफमून पार्ट्स उच्च तापमानात अंतिम मितीय स्थिरतेसाठी काळजीपूर्वक उत्पादित केले जातात ज्यामुळे वॅपिंग क्षमता मर्यादित होते आणि कोणत्याही दिलेल्या एपिटॅक्सियल रेसिपीमध्ये योग्य वेफर प्लेसमेंट प्रदान केले जाते. ही स्ट्रक्चरल अखंडता उत्तम एपिटॅक्सियल गुणवत्ता आणि अधिक उत्पन्नामध्ये अनुवादित करते.

हाफमून पार्ट्सचे तितकेच महत्त्वाचे कार्य म्हणजे थर्मल वहन होय. एपिटॅक्सियल चेंबरमध्ये, एकसमान, स्थिर-स्थितीतील थर्मल चालकता ही उच्च दर्जाची पातळ फिल्म्स मिळविण्याची गुरुकिल्ली आहे. गरम प्रक्रियेत मदत करण्यासाठी आणि समान तापमान वितरण सुलभ करण्यासाठी ग्रेफाइट कोर थर्मल चालकतेसाठी आदर्शपणे अनुकूल आहे. SiC कोटिंग प्रक्रियेतील थर्मल थकवा, ऱ्हास आणि दूषित होण्यापासून कोरचे संरक्षण करते. म्हणून, एकसमान तापमान हस्तांतरण साध्य करण्यासाठी आणि दोष-मुक्त एपिटॅक्सियल स्तरांच्या विकासास समर्थन देण्यासाठी वेफर्स एकसमान गरम केले जाऊ शकतात. दुसऱ्या शब्दांत, विशिष्ट थर्मल परिस्थितीची मागणी करणाऱ्या पातळ फिल्म वाढीच्या प्रक्रियेसाठी, SiC कोटेड हाफमून पार्ट्स कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हता दोन्ही देतात. दीर्घायुष्य हा घटकांचा मुख्य पैलू आहे. एपिटॅक्सीमध्ये सामान्य बांधकाम साहित्य जे निकृष्ट न होता सहन करू शकते त्यापेक्षा जास्त तापमानात थर्मल सायकलिंगचा समावेश होतो.

स्वच्छता हा आणखी एक महत्त्वाचा फायदा आहे. एपिटॅक्सी दूषिततेसाठी अत्यंत संवेदनशील असल्याने, अपवादात्मक उच्च शुद्धतेचे CVD SiC कोटिंग वापरल्याने प्रतिक्रिया कक्षातील दूषितता दूर होते. हे कण निर्मिती कमी करते आणि वेफर्सचे दोषांपासून संरक्षण करते. उपकरणाच्या भूमितींचे सतत कमी करणे आणि एपिटॅक्सियल प्रक्रियेच्या आवश्यकतांचे सतत संकुचित करणे हे सातत्यपूर्ण उत्पादन गुणवत्ता सुरक्षित करण्यासाठी दूषित नियंत्रणास महत्त्वपूर्ण बनवते.

सेमीकोरेक्स SiC कोटेड हाफमून पार्ट्स केवळ स्वच्छतेच्या समस्यांचे निराकरण करत नाहीत तर ते लवचिक देखील आहेत आणि विविध एपिटॅक्सियल सिस्टम कॉन्फिगरेशनमध्ये बसण्यासाठी समायोजित केले जाऊ शकतात. ते विशिष्ट परिमाण, कोटिंगची जाडी आणि डिझाइन/सहिष्णुतेमध्ये देखील तयार केले जाऊ शकतात जे अचूक उपकरणांमध्ये काल्पनिकपणे बसतात. ही लवचिकता हे सुनिश्चित करण्यात मदत करते की विद्यमान उपकरणे अखंडपणे समाकलित करू शकतात आणि सर्वात अनुकूल प्रक्रिया सुसंगतता राखू शकतात.