TaC-कोटेड हाफमून

Semicorex TaC-coated Halfmoon SiC epitaxy साठी आवश्यक असलेल्या भारदस्त तापमानात (2200°C पर्यंत) त्याची संरचनात्मक अखंडता आणि रासायनिक जडत्व राखते. हे सातत्यपूर्ण थर्मल कार्यप्रदर्शन सुनिश्चित करते आणि प्रक्रिया वायू किंवा स्त्रोत सामग्रीसह अवांछित प्रतिक्रियांना प्रतिबंधित करते. आणि थर्मल चालकता आणि उत्सर्जनक्षमता ऑप्टिमाइझ करण्यासाठी, ससेप्टर पृष्ठभागावर एकसमान उष्णता वितरणास प्रोत्साहन देण्यासाठी ते इंजिनिअर केले जाऊ शकते. यामुळे अधिक एकसंध वेफर तापमान प्रोफाइल आणि एपिटॅक्सियल लेयर जाडी आणि डोपिंग एकाग्रतेमध्ये सुधारित एकसमानता येते. शिवाय, TaC-कोटेड हाफमूनचा थर्मल विस्तार गुणांक SiC शी जवळून जुळण्यासाठी तयार केला जाऊ शकतो, ज्यामुळे गरम आणि कूलिंग सायकल दरम्यान थर्मल ताण कमी होतो. यामुळे वेफर वाकणे आणि दोष निर्माण होण्याचा धोका कमी होतो, ज्यामुळे उपकरणाच्या उच्च उत्पन्नात योगदान होते.

अनकोटेड/SiC-कोटेड पर्यायांच्या तुलनेत TaC-कोटेड हाफमून ग्रेफाइट ससेप्टर्सचे सेवा आयुष्य लक्षणीयरीत्या वाढवते. SiC डिपॉझिशन आणि थर्मल डिग्रेडेशनचा वाढलेला प्रतिकार साफसफाईची सायकल आणि बदलण्याची वारंवारता कमी करते, एकूण उत्पादन खर्च कमी करते.

SiC डिव्हाइस कामगिरीसाठी फायदे:

वर्धित डिव्हाइस विश्वसनीयता आणि कार्यप्रदर्शन:TaC-कोटेड हाफमून वर वाढलेल्या एपिटॅक्सियल लेयर्समधील सुधारित एकसमानता आणि कमी झालेली दोष घनता, उच्च उपकरण उत्पादनामध्ये अनुवादित करते आणि ब्रेकडाउन व्होल्टेज, ऑन-रेझिस्टन्स आणि स्विचिंग गतीच्या बाबतीत सुधारित कार्यप्रदर्शन करते.

उच्च व्हॉल्यूम उत्पादनासाठी किफायतशीर उपाय:विस्तारित आयुष्य, कमी देखभाल आवश्यकता आणि सुधारित वेफर गुणवत्ता SiC पॉवर उपकरणांसाठी अधिक किफायतशीर उत्पादन प्रक्रियेत योगदान देते.

सेमिकोरेक्स TaC-कोटेड हाफमून मटेरियल कंपॅटिबिलिटी, थर्मल मॅनेजमेंट आणि प्रक्रिया दूषिततेशी संबंधित प्रमुख आव्हानांना तोंड देऊन SiC एपिटॅक्सीला पुढे नेण्यात महत्त्वाची भूमिका बजावते. हे उच्च-गुणवत्तेचे SiC वेफर्सचे उत्पादन सक्षम करते, ज्यामुळे इलेक्ट्रिक वाहने, अक्षय ऊर्जा आणि इतर मागणी असलेल्या उद्योगांसाठी अधिक कार्यक्षम आणि विश्वासार्ह पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे तयार होतात.