तीन-पाकळ्या ग्रेफाइट क्रूसिबल

सेमिकोरेक्स थ्री-पेटल ग्रेफाइट क्रूसिबल (तीन-भाग किंवा सेगमेंटेड ग्रेफाइट क्रूसिबल म्हणूनही ओळखले जाते) प्रगत सेमीकंडक्टर सामग्रीच्या थर्मल प्रक्रियेत महत्त्वपूर्ण अभियांत्रिकी प्रगती दर्शवते. अति-उच्च-शुद्धता आयसोस्टॅटिक ग्रेफाइटपासून अचूक-मशिन केलेले, हे विशेष जहाज अत्यंत औष्णिक आणि रासायनिक वातावरणात पुढील पिढीच्या क्रिस्टल वाढीचा सामना करण्यासाठी, विशेषत: फिजिकल व्हेपर ट्रान्सपोर्ट (PVT) आणि सिलिकॉन मोनोकोनिंग सिलिकॉन कार्बाईड (SiC) उदात्तीकरणासाठी डिझाइन केलेले आहे.

पारंपारिक वन-पीस मोनोलिथिक क्रूसिबल्सच्या विपरीत, नाविन्यपूर्ण तीन-पाकळ्या खंडित आर्किटेक्चर उत्कृष्ट यांत्रिक आराम प्रदान करते, क्रुसिबलला वाढत्या क्रिस्टल मॅट्रिक्सला क्रॅक किंवा ताण न देता जलद थर्मल चक्रांतर्गत एकसमान विस्तार आणि आकुंचन करण्यास अनुमती देते.

मुख्य उत्पादन फायदे आणि अभियांत्रिकी उत्कृष्टता

1. तणाव-मुक्त करणारे तीन-पाकळ्यांचे आर्किटेक्चर

स्वाक्षरी थ्री-सेगमेंट स्प्लिट डिझाइन सामान्य उद्योग वेदना बिंदू सोडवण्यासाठी इंजिनियर केले आहे:थर्मल विस्तार जुळत नाही. सेमीकंडक्टर क्रिस्टलायझेशनच्या अत्यंत गरम आणि थंड होण्याच्या टप्प्यांमध्ये, मोनोलिथिक क्रुसिबलमध्ये अनेकदा स्थानिक तणावाचा अनुभव येतो, ज्यामुळे संरचनात्मक विकृती किंवा अकाली बिघाड होतो. इंटरलॉकिंग तीन-पाकळ्यांची रचना नियंत्रित मायक्रोस्कोपिक फ्लेक्स देते, थर्मल स्ट्रेस लक्षणीयरीत्या कमी करते, क्रूसिबल क्रॅकिंगचा धोका दूर करते आणि घटकाचे ऑपरेशनल आयुष्य वाढवते.

2. अति-उच्च शुद्धता कार्बन सब्सट्रेट

दूषितता हा उच्च-उत्पन्न अर्धसंवाहक वाढीचा अंतिम शत्रू आहे. राख कमी करण्यासाठी आणि धातूचे प्रमाण शोधण्यासाठी आमच्या तीन-पाकळ्यांच्या क्रुसिबलमध्ये कठोर रासायनिक आणि थर्मल शुद्धीकरण प्रक्रिया पार पडते5 पीपीएम पेक्षा कमी. हे भट्टीच्या आत एक अपवादात्मक स्वच्छ वातावरण सुनिश्चित करते, वितळणे किंवा बाष्प टप्प्यात अस्थिर अशुद्धता प्रसार प्रतिबंधित करते आणि अंतिम वेफर चिपची विद्युत अखंडता टिकवून ठेवते.

3. अपवादात्मक थर्मल प्रोफाइल एकरूपता

निर्दोष सिंगल-क्रिस्टल रचना साध्य करण्यासाठी थर्मल ग्रेडियंटवर अचूक नियंत्रण आवश्यक आहे. आमच्या निवडलेल्या आयसोस्टॅटिक ग्रेफाइट ग्रेडची उच्च थर्मल चालकता सर्व तीन विभागांमध्ये जलद, एकसमान उष्णता हस्तांतरणाची हमी देते. हे एकसमान थर्मल प्रोफाईल स्थानिकीकृत "हॉट स्पॉट्स" काढून टाकते, एक उत्तम प्रकारे सपाट घनता वाढवते आणि वाढत्या क्रिस्टल इनगॉटमधील विस्थापनांसारखे दोष कमी करते.

4. प्रगत पृष्ठभाग कोटिंग्ज (पर्यायी)

SiC क्रिस्टल पुलिंगची तीव्र मागणी पूर्ण करण्यासाठी-जेथे तापमान 2000℃ पेक्षा जास्त संक्षारक वातावरणात असते-या क्रुसिबलला विशेषीकृत वापरून वाढवता येते.टँटलम कार्बाइड (TaC)किंवासिलिकॉन कार्बाइड (SiC)रासायनिक वाष्प जमा (CVD) कोटिंग्ज. हा संरक्षणात्मक अडथळा रिऍक्टिव्ह गॅस इरोशन विरूद्ध अतुलनीय प्रतिकार प्रदान करतो आणि कार्बन बाहेर जाण्यास प्रतिबंध करतो.

प्राथमिक अर्ज

आमचे तीन-पाकळ्यांचे ग्रेफाइट क्रूसिबल प्रगत औद्योगिक हॉट झोनमध्ये मोठ्या प्रमाणावर लागू केले जातात:

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) क्रिस्टल ग्रोथ: इलेक्ट्रिक वाहने (EVs) आणि ग्रीन एनर्जी ग्रिडमध्ये वापरल्या जाणाऱ्या वाइड-बँडगॅप पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्ससाठी महत्त्वपूर्ण.

Czochralski (CZ) आणि PVT पद्धती: उच्च-तापमान इंडक्शन किंवा रेझिस्टन्स फर्नेसमध्ये उच्च-शक्तीचे बाह्य सपोर्टिंग शेल किंवा डायरेक्ट कंटेनमेंट वेसल्स म्हणून आदर्श.

कंपाऊंड सेमीकंडक्टर संश्लेषण: पुढील-जनरल सब्सट्रेट सामग्रीच्या उच्च-शुद्धतेच्या प्रक्रियेसाठी योग्य.

सेमीकंडक्टर उद्योगासाठी प्रगत मटेरियल सोल्यूशन्सचा अग्रगण्य प्रदाता म्हणून, आमच्या उत्पादन प्रक्रिया पूर्णपणे स्वयंचलित प्रणालींद्वारे कडकपणे नियंत्रित केल्या जातात. प्रत्येक तीन-पाकळ्या ग्रेफाइट क्रूसिबलमध्ये कठोर गैर-विध्वंसक चाचणी, अचूक समन्वय मोजमाप तपासणी आणि कठोर शुद्धता प्रमाणीकरण केले जाते. सेमीकंडक्टर फॅबला जास्तीत जास्त उत्पन्न, डाउनटाइम कमी करण्यासाठी आणि मालकीची एकूण किंमत कमी करण्यास अनुमती देऊन, आम्ही अंदाज लावता येण्याजोगे, उच्च पुनरावृत्ती करण्यायोग्य थर्मल कामगिरी वितरीत करतो.