4 इंच N-प्रकार SiC सब्सट्रेट

Semicorex विविध प्रकारचे 4H आणि 6H SiC वेफर्स पुरवते. आम्ही अनेक वर्षांपासून सिलिकॉन कार्बाइड उत्पादनांचे निर्माता आणि पुरवठादार आहोत. आमच्या 4 इंच एन-टाइप SiC सब्सट्रेटचा चांगला किमतीचा फायदा आहे आणि बहुतेक युरोपियन आणि अमेरिकन बाजारपेठा कव्हर करतात. आम्ही चीनमध्ये तुमचे दीर्घकालीन भागीदार बनण्यास उत्सुक आहोत.

चौकशी पाठवा

उत्पादन वर्णन

सेमीकोरेक्समध्ये संपूर्ण सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) वेफर उत्पादनांची लाइन आहे, ज्यामध्ये N-प्रकार, P-प्रकार आणि उच्च शुद्धतेच्या अर्ध-इन्सुलेटिंग वेफर्ससह 4H आणि 6H सब्सट्रेट्स समाविष्ट आहेत, ते एपिटॅक्सीसह किंवा त्याशिवाय असू शकतात. 4-इंच एन-टाइप SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) सब्सट्रेट हा N-प्रकार डोपिंगसह सिलिकॉन कार्बाइडच्या एकाच क्रिस्टलपासून बनवलेला उच्च-गुणवत्तेचा वेफर आहे.

4 इंच एन-टाइप SiC सब्सट्रेट प्रामुख्याने नवीन ऊर्जा वाहने, हाय-व्होल्टेज ट्रान्समिशन आणि सबस्टेशन, व्हाईट गुड्स, हाय-स्पीड ट्रेन्स, इलेक्ट्रिक मोटर्स, फोटोव्होल्टेइक इनव्हर्टर, स्पंदित वीज पुरवठा आणि इतर फील्डमध्ये वापरले जाते, ज्याचे फायदे कमी करण्यासाठी उपकरणे आहेत. ऊर्जेची हानी, उपकरणांची विश्वासार्हता सुधारणे, उपकरणाचा आकार कमी करणे आणि उपकरणाची कार्यक्षमता सुधारणे आणि पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे बनविण्यामध्ये भरून न येणारे फायदे आहेत.

वस्तू	उत्पादन	संशोधन	डमी
क्रिस्टल पॅरामीटर्स
पॉलीटाइप	4H
पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी	<11-20 >4±0.15°
इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स
डोपंट	n-प्रकार नायट्रोजन
प्रतिरोधकता	0.015-0.025ohm·cm
यांत्रिक मापदंड
व्यासाचा	99.5 - 100 मिमी
जाडी	350±25 μm
प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता	[१-१००]±५°
प्राथमिक सपाट लांबी	३२.५±१.५ मिमी
दुय्यम सपाट स्थिती	प्राथमिक फ्लॅट ±5° पासून 90° CW. सिलिकॉन चेहरा
दुय्यम सपाट लांबी	18±1.5 मिमी
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤20 μm
LTV	≤2 μm(5mm*5mm)	≤5 μm(5mm*5mm)	ते
धनुष्य	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
ताना	≤20 μm	≤45 μm	≤50 μm
समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM)	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
रचना
मायक्रोपाईप घनता	≤1 ea/cm2	≤5 ea/cm2	≤10 ea/cm2
धातूची अशुद्धता	≤5E10 अणू/cm2		ते
बीपीडी	≤1500 ea/cm2	≤3000 ea/cm2	ते
TSD	≤500 ea/cm2	≤1000 ea/cm2	ते
समोरची गुणवत्ता
समोर	आणि
पृष्ठभाग समाप्त	सी-फेस सीएमपी
कण	≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm)	ते
ओरखडे	≤2ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास	संचयी लांबी≤2*व्यास	ते
संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता	काहीही नाही		ते
एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स	काहीही नाही		ते
पॉलीटाइप क्षेत्रे	काहीही नाही	संचयी क्षेत्र≤20%	संचयी क्षेत्र≤30%
फ्रंट लेसर मार्किंग	काहीही नाही
परत गुणवत्ता
परत समाप्त	सी-फेस सीएमपी
ओरखडे	≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास	ते
मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट्स)	काहीही नाही
मागे उग्रपणा	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
मागे लेसर मार्किंग	1 मिमी (वरच्या काठावरुन)
काठ
काठ	चांफर
पॅकेजिंग
पॅकेजिंग	आतील पिशवी नायट्रोजनने भरलेली असते आणि बाहेरची पिशवी व्हॅक्यूम केलेली असते. मल्टी-वेफर कॅसेट, एपि-रेडी.
*नोट्स: "NA" म्हणजे कोणतीही विनंती नाही उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात.