6 इंच सेमी-इन्सुलेटिंग HPSI SiC वेफर

Semicorex विविध प्रकारचे 4H आणि 6H SiC वेफर्स पुरवते. आम्ही अनेक वर्षांपासून सिलिकॉन कार्बाइड उत्पादनांचे निर्माता आणि पुरवठादार आहोत. आमच्या दुहेरी-पॉलिश केलेल्या 6 इंच सेमी-इन्सुलेटिंग HPSI SiC वेफरचा चांगला किमतीचा फायदा आहे आणि ते बहुतेक युरोपियन आणि अमेरिकन मार्केट कव्हर करते. आम्ही चीनमध्ये तुमचे दीर्घकालीन भागीदार बनण्यास उत्सुक आहोत.

चौकशी पाठवा

उत्पादन वर्णन

सेमीकोरेक्समध्ये संपूर्ण सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) वेफर उत्पादनांची लाइन आहे, ज्यामध्ये N-प्रकार, P-प्रकार आणि उच्च शुद्धतेच्या अर्ध-इन्सुलेटिंग वेफर्ससह 4H आणि 6H सब्सट्रेट्स समाविष्ट आहेत, ते एपिटॅक्सीसह किंवा त्याशिवाय असू शकतात.

आमच्या 6 इंच सेमी-इन्सुलेटिंग HPSI SiC Wafer चा 6 इंच व्यासाचा MOSFETs, Schottky diodes आणि इतर हाय-व्होल्टेज ऍप्लिकेशन्स सारख्या पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या निर्मितीसाठी एक मोठा पृष्ठभाग क्षेत्र प्रदान करतो. 6 इंच सेमी-इन्सुलेटिंग HPSI SiC Wafer प्रामुख्याने 5G कम्युनिकेशन्स, रडार सिस्टीम, मार्गदर्शन हेड्स, सॅटेलाइट कम्युनिकेशन्स, वॉरप्लेन आणि इतर फील्डमध्ये वापरले जाते, ज्यामध्ये RF रेंज, अल्ट्रा-लाँग-रेंज आयडेंटिफिकेशन, अँटी-जॅमिंग आणि उच्च श्रेणी वाढवण्याचे फायदे आहेत. -स्पीड, उच्च-क्षमता माहिती हस्तांतरण अनुप्रयोग, मायक्रोवेव्ह पॉवर उपकरणे बनवण्यासाठी सर्वात आदर्श सब्सट्रेट मानले जाते.

तपशील:

● व्यास: 6″

● डबल पॉलिश

● श्रेणी: उत्पादन, संशोधन, डमी

● 4H-SiC HPSI वेफर

● जाडी: 500±25 μm

● मायक्रोपाइप घनता: ≤1 ea/cm²~ ≤15 ea/सेमी²

वस्तू	उत्पादन	संशोधन	डमी
क्रिस्टल पॅरामीटर्स
पॉलीटाइप	4H
अक्षावर पृष्ठभाग अभिमुखता	<0001 >
पृष्ठभाग अभिमुखता ऑफ-अक्ष	0±0.2°
(0004)FWHM	≤45arcsec	≤60arcsec	≤1OOarcsec
इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स
प्रकार	HPSI
प्रतिरोधकता	≥1 E8ohm·cm	100% क्षेत्र > 1 E5ohm·cm	70% क्षेत्र > 1 E5ohm·cm
यांत्रिक मापदंड
व्यासाचा	150±0.2 मिमी
जाडी	500±25 μm
प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता	[१-१००]±५° किंवा नॉच
प्राथमिक सपाट लांबी/खोली	47.5±1.5 मिमी किंवा 1 - 1.25 मिमी
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤15 μm
LTV	≤3 μm(5mm*5mm)	≤5 μm(5mm*5mm)	≤10 μm(5mm*5mm)
धनुष्य	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
ताना	≤35 μm	≤45 μm	≤55 μm
समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM)	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
रचना
मायक्रोपाईप घनता	≤1 ea/सेमी²	≤10 ea/सेमी²	≤15 ea/सेमी²
कार्बन समावेश घनता	≤1 ea/सेमी²	ते
षटकोनी शून्य	काहीही नाही	ते
धातूची अशुद्धता	≤5E12 अणू/सेमी²		ते
समोरची गुणवत्ता
समोर	आणि
पृष्ठभाग समाप्त	सी-फेस सीएमपी
कण	≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm)	ते
ओरखडे	≤5ea/mm. Cumulative length ≤Diameter	संचयी लांबी≤300 मिमी	ते
संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता	काहीही नाही		ते
एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स	काहीही नाही
पॉलीटाइप क्षेत्रे	काहीही नाही	संचयी क्षेत्र≤20%	संचयी क्षेत्र≤30%
फ्रंट लेसर मार्किंग	काहीही नाही
परत गुणवत्ता
परत समाप्त	सी-फेस सीएमपी
ओरखडे	≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास	ते
मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट्स)	काहीही नाही
मागे उग्रपणा	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
मागे लेसर मार्किंग	"सेमी"
काठ
काठ	चांफर
पॅकेजिंग
पॅकेजिंग	व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग
*नोट्स: "NA" म्हणजे कोणतीही विनंती नाही उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात.