इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ई-चक

सेमीकोरेक्स इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ई-चक इलेक्ट्रोस्टॅटिक आकर्षणाच्या तत्त्वांवर कार्य करते, यांत्रिक क्लॅम्प्स किंवा व्हॅक्यूम सक्शनची आवश्यकता न ठेवता विश्वसनीय आणि अचूक वेफर धारणा प्रदान करते, विशेषत: एचिंग, आयन इंप्ल-

antation, PVD, CVD, इ सेमीकंडक्टर प्रक्रिया. त्याची सानुकूल करण्यायोग्य परिमाणे त्यास विस्तृत अनुप्रयोगांसाठी अनुकूल बनवतात, ज्यामुळे सेमीकंडक्टर फॅब्रिकेशन प्रक्रियेत लवचिकता आणि कार्यक्षमता शोधणाऱ्या कंपन्यांसाठी ते एक आदर्श पर्याय बनते.

जे-आर प्रकारच्या इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ई-चकमागील मूलभूत तंत्रज्ञान म्हणजे वेफर आणि चकच्या पृष्ठभागादरम्यान इलेक्ट्रोस्टॅटिक शक्ती निर्माण करण्याची क्षमता. हे बल चकमध्ये एम्बेड केलेल्या इलेक्ट्रोड्सवर उच्च व्होल्टेज लागू करून तयार केले जाते, जे वेफर आणि चक या दोन्हींवर शुल्क प्रवृत्त करते, ज्यामुळे एक मजबूत इलेक्ट्रोस्टॅटिक बंध तयार होतो. ही यंत्रणा केवळ वेफरला सुरक्षितपणे ठेवत नाही तर वेफर आणि चक यांच्यातील शारीरिक संपर्क देखील कमी करते, संभाव्य दूषितता किंवा यांत्रिक ताण कमी करते ज्यामुळे संवेदनशील सेमीकंडक्टर सामग्रीचे नुकसान होऊ शकते.

Semicorex ग्राहकांच्या गरजेनुसार, 200 mm ते 300 mm किंवा त्याहूनही मोठी उत्पादने तयार करू शकते. हे सानुकूल करण्यायोग्य पर्याय ऑफर करून, J-R प्रकार ESC अर्धसंवाहक प्रक्रियांच्या श्रेणीसाठी जास्तीत जास्त लवचिकता प्रदान करते, ज्यामध्ये प्लाझ्मा एचिंग, रासायनिक वाष्प संचय (CVD), भौतिक वाष्प निक्षेप (PVD), आणि आयन रोपण यांचा समावेश आहे.

सामग्रीच्या बाबतीत, इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ई-चक उच्च-गुणवत्तेच्या सिरॅमिक सामग्रीपासून बनविलेले आहे, जसे की ॲल्युमिना (Al2O3) किंवा ॲल्युमिनियम नायट्राइड (AlN), जे उत्कृष्ट डायलेक्ट्रिक गुणधर्म, यांत्रिक शक्ती आणि थर्मल स्थिरतेसाठी ओळखले जातात. सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंगच्या कठोर परिस्थिती, जसे की उच्च तापमान, संक्षारक वातावरण आणि प्लाझ्मा एक्सपोजर यांचा सामना करण्यासाठी हे सिरॅमिक्स चकला आवश्यक टिकाऊपणा प्रदान करतात. याव्यतिरिक्त, वेफरशी एकसमान संपर्क सुनिश्चित करण्यासाठी, इलेक्ट्रोस्टॅटिक शक्ती वाढवून आणि एकूण प्रक्रियेची कार्यक्षमता सुधारण्यासाठी सिरॅमिक पृष्ठभाग उच्च प्रमाणात गुळगुळीत केले जाते.

इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ई-चक देखील सेमीकंडक्टर फॅब्रिकेशनमध्ये सामान्यतः उद्भवणाऱ्या थर्मल आव्हानांना हाताळण्यासाठी डिझाइन केलेले आहे. एचिंग किंवा डिपॉझिशन सारख्या प्रक्रियेदरम्यान तापमान व्यवस्थापन गंभीर आहे, जेथे वेफरचे तापमान वेगाने चढ-उतार होऊ शकते. चकमध्ये वापरलेले सिरॅमिक साहित्य उत्कृष्ट थर्मल चालकता प्रदान करते, उष्णता कार्यक्षमतेने नष्ट करण्यास आणि स्थिर वेफर तापमान राखण्यास मदत करते.

इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ई-चक हे कण दूषित कमी करण्यावर भर देऊन डिझाइन केले आहे, जे सेमीकंडक्टर उत्पादनामध्ये गंभीर आहे जेथे सूक्ष्म कण देखील अंतिम उत्पादनामध्ये दोष निर्माण करू शकतात. चकच्या गुळगुळीत सिरॅमिक पृष्ठभागामुळे कण चिकटण्याची शक्यता कमी होते आणि इलेक्ट्रोस्टॅटिक होल्डिंग मेकॅनिझममुळे वेफर आणि चक यांच्यातील कमी शारीरिक संपर्कामुळे दूषित होण्याचा धोका आणखी कमी होतो. J-R प्रकार ESC च्या काही मॉडेल्समध्ये प्रगत पृष्ठभागावरील कोटिंग्ज किंवा उपचारांचा समावेश केला जातो जे कणांना दूर ठेवतात आणि गंजला प्रतिकार करतात, क्लीनरूम वातावरणात चकचे दीर्घायुष्य आणि विश्वासार्हता वाढवतात.

सारांश, J-R प्रकार इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ई-चक हे एक अष्टपैलू आणि विश्वासार्ह वेफर-होल्डिंग सोल्यूशन आहे जे सेमीकंडक्टर उत्पादन प्रक्रियेच्या विस्तृत श्रेणीमध्ये अपवादात्मक कामगिरी देते. त्याची सानुकूल करण्यायोग्य रचना, प्रगत इलेक्ट्रोस्टॅटिक होल्डिंग तंत्रज्ञान आणि मजबूत सामग्री गुणधर्म स्वच्छता आणि अचूकतेचे सर्वोच्च मानक राखून वेफर हाताळणी ऑप्टिमाइझ करू पाहणाऱ्या कंपन्यांसाठी एक आदर्श पर्याय बनवतात. प्लाझ्मा एचिंग, डिपॉझिशन किंवा आयन इम्प्लांटेशनमध्ये वापरले जात असले तरीही, J-R प्रकार ESC आजच्या सेमीकंडक्टर उद्योगाच्या मागणीच्या गरजा पूर्ण करण्यासाठी आवश्यक लवचिकता, टिकाऊपणा आणि कार्यक्षमता प्रदान करते. Coulomb आणि Johnsen-Rahbek या दोन्ही मोडमध्ये काम करण्याच्या क्षमतेसह, उच्च तापमान हाताळणे आणि कण दूषित होण्यास प्रतिकार करणे, J-R प्रकार ESC उच्च उत्पन्न आणि सुधारित प्रक्रिया परिणामांच्या शोधात एक महत्त्वपूर्ण घटक आहे.