इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ESC

सेमीकोरेक्स इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ईएससी त्याच्या डायलेक्ट्रिक सिरॅमिक लेयरवर लागू केलेल्या उच्च-व्होल्टेज डायरेक्ट करंट (DC) चा वापर करून इलेक्ट्रोस्टॅटिक आसंजन तत्त्वावर कार्य करते. हे तंत्रज्ञान प्रक्रियेदरम्यान वेफर्स किंवा इतर सामग्री सुरक्षितपणे जोडण्याची परवानगी देते, विविध फॅब्रिकेशन टप्प्यांमध्ये स्थिरता आणि अचूकता दोन्ही सुनिश्चित करते.

जेव्हा चकवर उच्च डीसी व्होल्टेज लावला जातो, तेव्हा सिरॅमिक डायलेक्ट्रिक थरातील चार्ज केलेले आयन त्याच्या पृष्ठभागावर स्थलांतरित होतात आणि जमा होतात. हे चक आणि प्रक्रिया केलेल्या उत्पादनामध्ये मजबूत इलेक्ट्रोस्टॅटिक फील्ड तयार करते. व्युत्पन्न केलेले इलेक्ट्रोस्टॅटिक आकर्षण वेफरला जागी ठेवण्यासाठी पुरेसे मजबूत आहे, हे सुनिश्चित करते की ते क्लिष्ट आणि उच्च-सुस्पष्टता ऑपरेशन दरम्यान देखील स्थिर राहते. हे सुरक्षित होल्ड महत्त्वपूर्ण आहे, कारण ते सूक्ष्म-हालचाल आणि कंपन कमी करण्यास मदत करते, ज्यामुळे प्रक्रिया केलेल्या वेफर्सची गुणवत्ता आणि अखंडता धोक्यात येऊ शकते. कमीतकमी यांत्रिक संपर्कासह वेफर्स सुरक्षित करण्याची क्षमता शारीरिक नुकसान देखील प्रतिबंधित करते, जो पारंपारिक क्लॅम्पिंग पद्धतींपेक्षा एक वेगळा फायदा आहे.

जे-आर प्रकारचे इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ईएससी अंगभूत इलेक्ट्रोडसह सुसज्ज आहे जे हे इलेक्ट्रोस्टॅटिक आसंजन तयार करण्यासाठी आवश्यक आहेत. हे इलेक्ट्रोड वेफरच्या पृष्ठभागावर किंवा प्रक्रिया केल्या जाणाऱ्या इतर सामग्रीवर इलेक्ट्रोस्टॅटिक शक्ती समान रीतीने वितरित करण्यासाठी चकमध्ये स्थित असतात. हे सम वितरण सातत्यपूर्ण दाब सुनिश्चित करते, जे एचिंग, आयन इम्प्लांटेशन आणि डिपॉझिशन यासारख्या जटिल प्रक्रियांमध्ये एकसमानता राखण्यासाठी आवश्यक आहे. इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ESC द्वारे ऑफर केलेले अचूक आसंजन आधुनिक सेमीकंडक्टर फॅब्रिकेशनच्या मागणीनुसार वैशिष्ट्यांना सामावून घेण्यास अनुमती देते.

त्याच्या चिकटपणाच्या प्राथमिक कार्याव्यतिरिक्त, इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ईएससीमध्ये एक अत्याधुनिक तापमान नियंत्रण प्रणाली आहे. चकमध्ये समाकलित हीटिंग घटक समाविष्ट आहेत जे प्रक्रिया केल्या जाणाऱ्या उत्पादनाच्या तापमानाचे नियमन करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहेत. सेमीकंडक्टर उत्पादनामध्ये तापमान नियंत्रण हा एक महत्त्वाचा घटक आहे, कारण किंचित तापमानातील फरक देखील प्रक्रियेच्या परिणामावर परिणाम करू शकतो. इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ईएससी मल्टी-झोन तापमान नियंत्रण देते, ज्यामुळे वेफरचे वेगवेगळे भाग स्वतंत्रपणे गरम किंवा थंड करता येतात. हे सुनिश्चित करते की वेफरच्या संपूर्ण पृष्ठभागावर तापमान सातत्याने राखले जाते, एकसमान प्रक्रिया परिणामांना प्रोत्साहन देते आणि थर्मल नुकसान किंवा वार्पिंगचा धोका कमी करते.

इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ईएससीच्या बांधकामात उच्च-शुद्धता सामग्रीचा वापर हे आणखी एक उल्लेखनीय वैशिष्ट्य आहे. या चकसाठी निवडलेले साहित्य कण दूषित कमी करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहे, जे सेमीकंडक्टर फॅब्रिकेशनमध्ये एक गंभीर चिंता आहे. अगदी लहान कणांमुळेही मायक्रोस्ट्रक्चर बनवल्या जात असताना दोष निर्माण होऊ शकतात, ज्यामुळे उत्पादन कमी होते आणि संभाव्य उत्पादन अपयशी ठरते. उच्च-शुद्धता सामग्री वापरून, इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ESC प्रक्रिया वातावरणात दूषित पदार्थांचा परिचय होण्याचा धोका कमी करते, अशा प्रकारे उच्च-गुणवत्तेच्या उत्पादनास समर्थन देते.

इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ईएससी हे प्लाझ्मा इरोशनला प्रतिरोधक आहे. बऱ्याच सेमीकंडक्टर प्रक्रियांमध्ये, विशेषत: नक्षीकाम आणि निक्षेपणात, चक प्रतिक्रियाशील प्लाझ्मा वातावरणाच्या संपर्कात असतो. कालांतराने, या एक्सपोजरमुळे चकमध्ये वापरल्या जाणाऱ्या सामग्रीचे नुकसान होऊ शकते, ज्यामुळे त्याची कार्यक्षमता आणि आयुर्मान प्रभावित होते. इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ईएससी विशेषत: प्लाझ्मा इरोशनचा प्रतिकार करण्यासाठी इंजिनिअर केले आहे, ज्यामुळे ते कठोर प्रक्रिया वातावरणात देखील त्याची संरचनात्मक अखंडता आणि कार्यप्रदर्शन राखू शकते. ही टिकाऊपणा दीर्घ सेवा आयुष्यासाठी अनुवादित करते, वारंवार बदलण्याची आवश्यकता कमी करते आणि उत्पादन लाइनमधील डाउनटाइम कमी करते.

इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक ईएससीचे यांत्रिक गुणधर्म देखील महत्त्वपूर्ण आहेत. चक अत्यंत घट्ट सहिष्णुतेसाठी तयार केले जाते, हे सुनिश्चित करते की ते त्याच्या विशिष्ट अनुप्रयोगांसाठी आवश्यक आकार आणि परिमाण राखते. आवश्यक पृष्ठभाग सपाटपणा आणि गुळगुळीतपणा प्राप्त करण्यासाठी उच्च-सुस्पष्टता मशीनिंग तंत्रे वापरली जातात, जी अगदी इलेक्ट्रोस्टॅटिक आसंजन सुनिश्चित करण्यासाठी आणि नाजूक वेफर्सचे नुकसान होण्याचा धोका कमी करण्यासाठी आवश्यक आहेत. चकची यांत्रिक शक्ती तितकीच प्रभावी आहे, ज्यामुळे ते उच्च-तापमान आणि उच्च-दबाव प्रक्रियेदरम्यान लादलेल्या शारीरिक ताणांना तोंड देऊ शकते किंवा वेफर सुरक्षितपणे ठेवण्याची क्षमता न गमावता.