- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
उद्योग बातम्या
प्रारंभिक वाढीच्या टप्प्यात तापमान ग्रेडियंट नियंत्रणाद्वारे उच्च-गुणवत्तेची SiC क्रिस्टल वाढ प्राप्त करणे
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) ही एक वाइड-बँडगॅप सेमीकंडक्टर मटेरियल आहे ज्याने अलिकडच्या वर्षांत उच्च-व्होल्टेज आणि उच्च-तापमान अनुप्रयोगांमध्ये त्याच्या अपवादात्मक कामगिरीमुळे लक्षणीय लक्ष वेधले आहे. हा अभ्यास पद्धतशीरपणे सुधारित प्रक्रिया परिस्थिती वापरून वाढवलेल्या SiC क्रिस्टल्सच्या विविध वैशिष्ट्यांचा......
पुढे वाचा
एन-टाइप 4H-SiC क्रिस्टल्समधील विद्युत प्रतिरोधकतेच्या वितरणावरील अभ्यास
4H-SiC, तिसऱ्या पिढीतील सेमीकंडक्टर सामग्री म्हणून, त्याच्या विस्तृत बँडगॅप, उच्च थर्मल चालकता आणि उत्कृष्ट रासायनिक आणि थर्मल स्थिरतेसाठी प्रसिद्ध आहे, ज्यामुळे ते उच्च-शक्ती आणि उच्च-फ्रिक्वेंसी ऍप्लिकेशन्समध्ये अत्यंत मौल्यवान बनते.
पुढे वाचा
