अलीकडेच, Infineon Technologies ने जगातील पहिले 300mm पॉवर Gallium Nitride (GaN) वेफर तंत्रज्ञानाच्या यशस्वी विकासाची घोषणा केली.
मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन उत्पादनामध्ये वापरल्या जाणाऱ्या तीन प्राथमिक पद्धती म्हणजे झोक्रॅल्स्की (सीझेड) पद्धत, किरोपोलोस पद्धत आणि फ्लोट झोन (एफझेड) पद्धत.
ऑक्सिडेशन प्रक्रिया वेफरवर संरक्षणात्मक स्तर तयार करून अशा समस्यांना रोखण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावतात, ज्याला ऑक्साइड स्तर म्हणून ओळखले जाते, जे विविध रसायनांमधील अडथळा म्हणून कार्य करते.
सिलिकॉन नायट्राइड (Si3N4) हे प्रगत उच्च-तापमान स्ट्रक्चरल सिरॅमिक्सच्या विकासातील प्रमुख सामग्री आहे.
एचिंग प्रक्रिया: सिलिकॉन वि. सिलिकॉन कार्बाइड
सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंगमध्ये, एचिंग प्रक्रियेची अचूकता आणि स्थिरता सर्वोपरि आहे. उच्च-गुणवत्तेचे कोरीव काम साध्य करण्यासाठी एक महत्त्वाचा घटक म्हणजे प्रक्रियेदरम्यान वेफर्स ट्रेवर पूर्णपणे सपाट असल्याची खात्री करणे.