बातम्या

सेमीकंडक्टर प्रक्रियेत ऑक्सीकरण

ऑक्सिडेशन प्रक्रिया वेफरवर संरक्षणात्मक स्तर तयार करून अशा समस्यांना रोखण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावतात, ज्याला ऑक्साइड स्तर म्हणून ओळखले जाते, जे विविध रसायनांमधील अडथळा म्हणून कार्य करते.

पुढे वाचा

सेमीकंडक्टर आणि फोटोव्होल्टेइक सेक्टरमध्ये SiC सिरॅमिक्सच्या अनुप्रयोगांचे आणि विकासाच्या शक्यतांचे विश्लेषण करणे

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC), एक महत्त्वाची उच्च-स्तरीय सिरॅमिक सामग्री म्हणून, उच्च-तापमान प्रतिरोध, गंज प्रतिकार, पोशाख प्रतिरोध, उच्च-तापमान यांत्रिक शक्ती आणि ऑक्सिडेशन प्रतिरोध यांसारखे उत्कृष्ट गुणधर्म आहेत. या गुणधर्मांमुळे सेमीकंडक्टर, अणुऊर्जा, संरक्षण आणि अंतराळ तंत्रज्ञान यासारख्या उच्च-तंत्रज्......

पुढे वाचा

SiC सिरेमिक तयारीसाठी प्रेशरलेस सिंटरिंग का निवडावे?

अति-उच्च संश्लेषण तापमान आणि SiC सिरेमिकचे दाट सिंटरिंग साध्य करण्याच्या अडचणीमुळे त्यांचा विकास मर्यादित झाला आहे. SiC सिरेमिकसाठी सिंटरिंग प्रक्रिया महत्त्वपूर्ण आहे.

पुढे वाचा

सिलिकॉन नायट्राइड म्हणजे काय

सिलिकॉन नायट्राइड (Si3N4) हे प्रगत उच्च-तापमान स्ट्रक्चरल सिरॅमिक्सच्या विकासातील प्रमुख सामग्री आहे.

पुढे वाचा

सिलिकॉन आणि सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्समधील एचिंगमधील फरक समजून घेणे

एचिंग प्रक्रिया: सिलिकॉन वि. सिलिकॉन कार्बाइड

पुढे वाचा

सिलिकॉन कार्बाइड सिरॅमिक्ससाठी विशेष तयारी तंत्र

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सिरॅमिक मटेरियलमध्ये उच्च-तापमान सामर्थ्य, मजबूत ऑक्सिडेशन प्रतिरोध, उत्कृष्ट पोशाख प्रतिरोध, थर्मल स्थिरता, कमी थर्मल विस्तार गुणांक, उच्च थर्मल चालकता, उच्च कडकपणा, थर्मल शॉक प्रतिरोध, आणि रासायनिक क्षरण यासह उत्कृष्ट गुणधर्मांची श्रेणी असते. प्रतिकार ही वैशिष्ट्ये ऑटोमोटिव्......

पुढे वाचा

<...11 12 13 14 15...37 >