- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
बातम्या
GaN आणि SiC: सहअस्तित्व किंवा प्रतिस्थापन?
उच्च उर्जा घनता आणि कार्यक्षमतेसाठी पुश डेटा केंद्रे, नूतनीकरणक्षम ऊर्जा, ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स, इलेक्ट्रिक वाहने आणि स्वायत्त ड्रायव्हिंग तंत्रज्ञानासह अनेक उद्योगांमध्ये नवोपक्रमाचा प्राथमिक चालक बनला आहे. वाइड बँडगॅप (WBG) मटेरियलच्या क्षेत्रात, Gallium Nitride (GaN) आणि Silicon Carbide (SiC) हे ......
पुढे वाचा
थर्मल फील्ड म्हणजे काय?
सिंगल क्रिस्टल ग्रोथच्या क्षेत्रात, क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेसमधील तापमानाचे वितरण महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते. हे तापमान वितरण, ज्याला सामान्यतः थर्मल फील्ड म्हणून संबोधले जाते, हा एक महत्त्वाचा घटक आहे जो क्रिस्टलची गुणवत्ता आणि वैशिष्ट्यांवर प्रभाव टाकतो. थर्मल फील्डचे दोन प्रकारांमध्ये वर्गीकरण केले ज......
पुढे वाचा
आयसोस्टॅटिक ग्रेफाइट उत्पादन तंत्रज्ञान
आयसोस्टॅटिक प्रेसिंग टेक्नॉलॉजी ही आयसोस्टॅटिक ग्रेफाइटच्या उत्पादनातील एक महत्त्वपूर्ण प्रक्रिया आहे, जी मुख्यत्वे अंतिम उत्पादनाची कार्यक्षमता निर्धारित करते. त्यामुळे, आयसोस्टॅटिक ग्रेफाइट उत्पादनाचे सर्वसमावेशक संशोधन आणि ऑप्टिमायझेशन हे उद्योगातील आवश्यक केंद्रबिंदू आहेत.
पुढे वाचा
कार्बन-आधारित सामग्रीच्या पृष्ठभागावरील TaC कोटिंग्जची संशोधन प्रगती
ग्रेफाइट, कार्बन फायबर आणि कार्बन/कार्बन (C/C) कंपोझिट यांसारखी कार्बन-आधारित सामग्री त्यांच्या उच्च विशिष्ट शक्ती, उच्च विशिष्ट मॉड्यूलस आणि उत्कृष्ट थर्मल गुणधर्मांसाठी ओळखली जाते, ज्यामुळे ते उच्च-तापमान अनुप्रयोगांच्या विस्तृत श्रेणीसाठी योग्य बनतात. . ही सामग्री एरोस्पेस, रासायनिक अभियांत्रिकी ......
पुढे वाचा
गॅलियम नायट्राइड (GaN) सब्सट्रेटचे काय उपयोग?
गॅलियम नायट्राइड (GaN) ही अर्धसंवाहक तंत्रज्ञानातील एक महत्त्वाची सामग्री आहे, जी त्याच्या अपवादात्मक इलेक्ट्रॉनिक आणि ऑप्टिकल गुणधर्मांसाठी ओळखली जाते. GaN, वाइड-बँडगॅप सेमीकंडक्टर म्हणून, अंदाजे 3.4 eV ची बँडगॅप ऊर्जा आहे, ती उच्च-शक्ती आणि उच्च-फ्रिक्वेंसी अनुप्रयोगांसाठी आदर्श बनवते.
पुढे वाचा
