गॅलियम नायट्राइड (GaN) एपिटॅक्सियल वेफर वाढ ही एक जटिल प्रक्रिया आहे, बहुतेकदा दोन-चरण पद्धतीचा वापर केला जातो. या पद्धतीमध्ये उच्च-तापमान बेकिंग, बफर लेयरची वाढ, पुनर्स्थापना आणि ॲनिलिंग यासह अनेक गंभीर टप्प्यांचा समावेश आहे. या अवस्थेमध्ये तापमानावर बारकाईने नियंत्रण ठेवून, दोन-चरण वाढीची पद्धत जा......
पुढे वाचासिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट कार्बन आणि सिलिकॉन या दोन घटकांनी बनलेला एक मिश्रित अर्धसंवाहक सिंगल क्रिस्टल मटेरियल आहे. यात मोठे बँडगॅप, उच्च थर्मल चालकता, उच्च क्रिटिकल ब्रेकडाउन फील्ड स्ट्रेंथ आणि उच्च इलेक्ट्रॉन सॅच्युरेशन ड्रिफ्ट रेट ही वैशिष्ट्ये आहेत.
पुढे वाचासिलिकॉन कार्बाइड (SiC) उद्योग साखळीमध्ये, सब्सट्रेट पुरवठादार मुख्यत्वे मूल्य वितरणामुळे लक्षणीय लाभ घेतात. SiC सबस्ट्रेट्सचा एकूण मूल्याच्या 47% वाटा आहे, त्यानंतर एपिटॅक्सियल लेयर्स 23% आहेत, तर डिव्हाइस डिझाइन आणि मॅन्युफॅक्चरिंग उर्वरित 30% आहेत. ही इनव्हर्टेड व्हॅल्यू चेन सब्सट्रेट आणि एपिटॅक्स......
पुढे वाचाSiC MOSFETs हे ट्रान्झिस्टर आहेत जे उच्च उर्जा घनता, सुधारित कार्यक्षमता आणि उच्च तापमानात कमी अपयश दर देतात. SiC MOSFETs चे हे फायदे इलेक्ट्रिक वाहनांना (EVs) अनेक फायदे आणतात, ज्यात जास्त काळ ड्रायव्हिंग रेंज, जलद चार्जिंग आणि संभाव्यतः कमी किमतीची बॅटरी इलेक्ट्रिक वाहने (BEVs) यांचा समावेश आहे. ग......
पुढे वाचा