उद्योग बातम्या

SiC-कोटेड ग्रेफाइट ससेप्टर्स का निवडावे?

ग्रेफाइट ससेप्टर हा MOCVD उपकरणातील एक आवश्यक भाग आहे, तो वेफर सब्सट्रेटचा वाहक आणि हीटर आहे. थर्मल स्थिरता आणि थर्मल एकरूपतेचे गुणधर्म वेफर एपिटॅक्सियल वाढीच्या गुणवत्तेत निर्णायक भूमिका बजावतात, जे थेट स्तर सामग्रीची एकसमानता आणि शुद्धता निर्धारित करते, परिणामी त्याची गुणवत्ता थेट एपिटॅक्सीच्या तय......

SiC epitaxial ची प्रक्रिया काय आहे?

उच्च व्होल्टेज क्षेत्रात, विशेषत: 20,000V वरील उच्च-व्होल्टेज उपकरणांसाठी, SiC एपिटॅक्सियल तंत्रज्ञानाला अजूनही अनेक आव्हानांचा सामना करावा लागतो. एपिटॅक्सियल लेयरमध्ये उच्च एकसमानता, जाडी आणि डोपिंग एकाग्रता प्राप्त करणे ही मुख्य अडचणींपैकी एक आहे. अशा उच्च-व्होल्टेज उपकरणांच्या फॅब्रिकेशनसाठी, उत्......

SiC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर मार्केटची लक्षणीय वाढ

MOCVD हे प्रमुख उपकरण आहे

सेमीकंडक्टर प्रकल्पांसाठी निधी

प्रत्येक देशाला चिप्सचे महत्त्व माहित आहे आणि आता चिप्सच्या कमतरतेची दुसरी समस्या टाळण्यासाठी स्वतःच्या चिप उत्पादन पुरवठा साखळी इकोसिस्टमच्या बांधकामाला गती देत ​​आहे. परंतु नेक्स्ट-जेन चिप डिझायनरशिवाय प्रगत फाउंड्री चिप्सशिवाय âFabs प्रमाणेच असतील.

TSMC: पुढील वर्षी 2nm प्रक्रिया जोखीम चाचणी उत्पादन

त्यांच्या नव्याने प्रसिद्ध झालेल्या वार्षिक अहवालात, TSMC चेअरमन डेयिन लिऊ आणि CEO चिह-जिया वेई यांनी 2nm प्रक्रियेशी संबंधित प्रगती उघड केली.