> बातम्या > उद्योग बातम्या

उद्योग बातम्या

सिलिकॉन कार्बाइड वेफर एपिटॅक्सी तंत्रज्ञान

सिलिकॉन कार्बाइड साधारणपणे PVT पद्धतीचा वापर करते, ज्याचे तापमान 2000 अंशांपेक्षा जास्त असते, दीर्घ प्रक्रिया चक्र आणि कमी उत्पादन असते, त्यामुळे सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट्सची किंमत खूप जास्त असते.

पुढे वाचा

GaN तयार करण्यात अडचणी

तिसऱ्या पिढीतील अर्धसंवाहक सामग्री म्हणून, गॅलियम नायट्राइडची तुलना सिलिकॉन कार्बाइडशी केली जाते. गॅलियम नायट्राइड अजूनही त्याचे मोठे बँडगॅप, उच्च ब्रेकडाउन व्होल्टेज, उच्च थर्मल चालकता, उच्च संतृप्त इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग आणि मजबूत रेडिएशन प्रतिरोधकतेसह त्याचे श्रेष्ठत्व प्रदर्शित करते. परंतु सिलिक......

पुढे वाचा

थर्ड-जनरेशन सेमीकंडक्टर्सचा परिचय: GaN आणि संबंधित एपिटॅक्सियल तंत्रज्ञान

निळ्या एलईडीसाठी भौतिकशास्त्रातील 2014 नोबेल पारितोषिक मिळाल्यानंतर GaN सामग्रीला महत्त्व प्राप्त झाले. ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स, GaN-आधारित पॉवर ॲम्प्लिफायर्स आणि RF डिव्हाइसेसमधील जलद-चार्जिंग ऍप्लिकेशन्सद्वारे सुरुवातीला लोकांच्या नजरेत प्रवेश करणे देखील 5G बेस स्टेशन्समधील गंभीर घटक म्हणून शांतपण......

पुढे वाचा

सब्सट्रेट विरुद्ध एपिटॅक्सी: सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंगमध्ये मुख्य भूमिका

सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञान आणि मायक्रोइलेक्ट्रॉनिकच्या क्षेत्रात, सबस्ट्रेट्स आणि एपिटॅक्सीच्या संकल्पना महत्त्वपूर्ण आहेत. सेमीकंडक्टर उपकरणांच्या निर्मिती प्रक्रियेत ते महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावतात. हा लेख सेमीकंडक्टर सबस्ट्रेट्स आणि एपिटॅक्सी मधील फरक शोधून काढेल, त्यांची व्याख्या, कार्ये, भौतिक संरचन......

पुढे वाचा

SiC सब्सट्रेट प्रक्रियेतील मुख्य टप्पे

4H-SiC सब्सट्रेटच्या प्रक्रियेमध्ये प्रामुख्याने खालील चरणांचा समावेश आहे:

पुढे वाचा

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सबस्ट्रेट्सचे मुख्य पॅरामीटर्स

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) उत्पादन प्रक्रियेमध्ये सामग्रीच्या बाजूने सब्सट्रेट आणि एपिटॅक्सी तयार करणे, त्यानंतर चिप डिझाइन आणि उत्पादन, डिव्हाइस पॅकेजिंग आणि शेवटी, डाउनस्ट्रीम ऍप्लिकेशन मार्केटमध्ये वितरण समाविष्ट आहे. या टप्प्यांपैकी, सब्सट्रेट मटेरियल प्रोसेसिंग ही SiC उद्योगातील सर्वात आव्हानात्मक ......

पुढे वाचा

<...17 18 19 20 21...31 >