सर्व प्रक्रियांचा सर्वात मूलभूत टप्पा म्हणजे ऑक्सिडेशन प्रक्रिया. ऑक्सिडेशन प्रक्रिया म्हणजे उच्च-तापमान उष्णता उपचार (800~1200℃) साठी ऑक्सिजन किंवा पाण्याची वाफ सारख्या ऑक्सिडंट्सच्या वातावरणात सिलिकॉन वेफर ठेवणे आणि सिलिकॉन वेफरच्या पृष्ठभागावर रासायनिक अभिक्रिया होऊन ऑक्साइड फिल्म तयार होते. (SiO......
पुढे वाचासिलिकॉनच्या तुलनेत सामग्रीचे उत्कृष्ट गुणधर्म असूनही, GaN सब्सट्रेटवरील GaN epitaxy ची वाढ एक अद्वितीय आव्हान प्रस्तुत करते. GaN epitaxy बँड गॅप रुंदी, थर्मल चालकता आणि सिलिकॉन-आधारित मटेरियलपेक्षा इलेक्ट्रिक फील्ड ब्रेकडाउनच्या दृष्टीने महत्त्वपूर्ण फायदे देते. यामुळे सेमीकंडक्टरच्या तिसऱ्या पिढीचा......
पुढे वाचासिलिकॉन कार्बाइड (SiC) आणि गॅलियम नायट्राइड (GaN) सारख्या वाइड बँडगॅप (WBG) सेमीकंडक्टरने पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये वाढत्या प्रमाणात महत्त्वाची भूमिका बजावणे अपेक्षित आहे. ते पारंपारिक सिलिकॉन (Si) उपकरणांवर अनेक फायदे देतात, ज्यात उच्च कार्यक्षमता, उर्जा घनता आणि स्विचिंग वारंवारता समाविष्ट आह......
पुढे वाचा