बातम्या

SiC क्रिस्टल्समधील दोषांबद्दल - मायक्रोपाइप

SiC सब्सट्रेटमध्ये सूक्ष्म दोष असू शकतात, जसे की थ्रेडिंग स्क्रू डिस्लोकेशन (टीएसडी), थ्रेडिंग एज डिस्लोकेशन (टीईडी), बेस प्लेन डिस्लोकेशन (बीपीडी) आणि इतर. हे दोष अणू स्तरावरील अणूंच्या व्यवस्थेतील विचलनामुळे उद्भवतात. SiC क्रिस्टल्समध्ये मॅक्रोस्कोपिक डिसलोकेशन्स देखील असू शकतात, जसे की Si किंवा C......

पुढे वाचा

लिक्विड फेज एपिटॅक्सी पद्धत का निवडावी?

PVT पद्धतीच्या तुलनेत, SiC वाढवण्यासाठी लिक्विड फेज पद्धतीचे खालील फायदे आहेत:

पुढे वाचा

लिक्विड फेज एपिटॅक्सी म्हणजे काय?

लिक्विड फेज पद्धत थर्मोडायनामिक समतोल स्थितीच्या जवळ आहे आणि चांगल्या गुणवत्तेसह SiC क्रिस्टल्स वाढविण्यास सक्षम आहे.

पुढे वाचा

टीएसी कोटिंग

संशोधनाच्या परिणामांनुसार, TaC कोटिंग ग्रेफाइट घटकांचे आयुष्य वाढवण्यासाठी, रेडियल तापमान एकसमानता सुधारण्यासाठी, SiC सबलिमेशन स्टोइचियोमेट्री राखण्यासाठी, अशुद्धता स्थलांतर रोखण्यासाठी आणि उर्जेचा वापर कमी करण्यासाठी संरक्षण आणि अलगाव स्तर म्हणून काम करू शकते. शेवटी एक TaC-कोटेड ग्रेफाइट क्रूसिबल स......

पुढे वाचा

सेमीकंडक्टरमध्ये सीव्हीडी प्रक्रिया काय आहे?

रासायनिक वाष्प निक्षेपण CVD म्हणजे व्हॅक्यूम आणि उच्च तापमान परिस्थितीत प्रतिक्रिया कक्षेत दोन किंवा अधिक वायूयुक्त कच्चा माल समाविष्ट करणे, जेथे वायू कच्चा माल एकमेकांवर प्रतिक्रिया देऊन नवीन सामग्री तयार करतो, जो वेफर पृष्ठभागावर जमा होतो.

पुढे वाचा

फोटोव्होल्टेइक उद्योग विकास विहंगावलोकन

2027 पर्यंत, सौर फोटोव्होल्टेइक (PV) जगातील सर्वात मोठी स्थापित क्षमता म्हणून कोळशाला मागे टाकेल. आमच्या अंदाजानुसार सौर PV ची संचयी स्थापित क्षमता जवळपास तिप्पट आहे, या कालावधीत सुमारे 1,500 गिगावॅटने वाढेल आणि 2026 पर्यंत नैसर्गिक वायू आणि 2027 पर्यंत कोळशाच्या पुढे जाईल.

पुढे वाचा

<...31 32 33 34 35...37 >