बातम्या

GaN उद्योग अनुप्रयोग

SiC-आधारित आणि Si-आधारित GaN चे अनुप्रयोग क्षेत्र काटेकोरपणे वेगळे केलेले नाहीत. GaN-On-SiC उपकरणांमध्ये, SiC सब्सट्रेटची किंमत तुलनेने जास्त आहे आणि SiC लाँग क्रिस्टल तंत्रज्ञानाच्या वाढत्या परिपक्वतेसह, डिव्हाइसची किंमत आणखी कमी होणे अपेक्षित आहे आणि पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्सच्या क्षेत्रातील पॉवर उपकरणा......

सेमीकंडक्टर हीटिंग एलिमेंट्स बद्दल

उष्णता उपचार ही अर्धसंवाहक प्रक्रियेतील एक आवश्यक आणि महत्त्वाची प्रक्रिया आहे. औष्णिक प्रक्रिया म्हणजे विशिष्ट वायूने ​​भरलेल्या वातावरणात ऑक्सिडेशन/डिफ्यूजन/अ‍ॅनिलिंग इत्यादीसह वेफरवर थर्मल एनर्जी लागू करण्याची प्रक्रिया.

3C-SiC वेफरचे उत्पादन सुरू करा

नुकतेच मोजलेले बल्क 3C-SiC ची थर्मल चालकता, इंच-प्रमाणातील मोठ्या स्फटिकांमध्ये दुसऱ्या-उच्चतम आहे, हिऱ्याच्या अगदी खाली आहे. सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) हा एक विस्तृत बँडगॅप सेमीकंडक्टर आहे जो इलेक्ट्रॉनिक ऍप्लिकेशन्समध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरला जातो आणि तो पॉलीटाइप म्हणून ओळखल्या जाणार्‍या विविध स्फटि......

Semicorex ने 8-इंच SiC Epitaxial Wafer ची घोषणा केली

तैवानचे PSMC जपानमध्ये 300mm वेफर फॅब तयार करणार आहे

तैवानच्या पॉवर सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंग कॉर्पोरेशनने (PSMC) SBI होल्डिंग्जच्या सहकार्याने जपानमध्ये 300mm वेफर फॅब तयार करण्याची योजना जाहीर केली आहे. या सहयोगाचा उद्देश जपानच्या देशांतर्गत IC (इंटिग्रेटेड सर्किट) पुरवठा साखळीला बळकट करणे हा आहे, ज्यामध्ये AI एज कॉम्प्युटिंग आणि पॅकेजिंग तंत्रज्ञ......

SiC साठी CVD म्हणजे काय