जाड, उच्च-शुद्धता सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) स्तर, सामान्यत: 1mm पेक्षा जास्त, सेमीकंडक्टर फॅब्रिकेशन आणि एरोस्पेस तंत्रज्ञानासह विविध उच्च-मूल्य अनुप्रयोगांमध्ये महत्त्वपूर्ण घटक आहेत. हा लेख रासायनिक वाष्प निक्षेपण (CVD) प्रक्रियेत अशा स्तरांची निर्मिती, मुख्य प्रक्रिया मापदंड, भौतिक वैशिष्ट्ये आणि उद......
पुढे वाचाकेमिकल व्हेपर डिपॉझिशन (CVD) हे एक बहुमुखी पातळ-फिल्म डिपॉझिशन तंत्र आहे जे सेमीकंडक्टर उद्योगात विविध सब्सट्रेट्सवर उच्च-गुणवत्तेच्या, कॉन्फॉर्मल पातळ फिल्म्स बनवण्यासाठी मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते. या प्रक्रियेमध्ये तापलेल्या सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर वायूच्या पूर्ववर्तींच्या रासायनिक अभिक्रियां......
पुढे वाचाहा लेख सेमीकंडक्टर उद्योगातील क्वार्ट्ज बोटींच्या संबंधात सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) बोटींचा वापर आणि भविष्यातील प्रक्षेपणाचा तपशील देतो, विशेषत: सौर सेल निर्मितीमध्ये त्यांच्या अनुप्रयोगांवर लक्ष केंद्रित करतो.
पुढे वाचागॅलियम नायट्राइड (GaN) एपिटॅक्सियल वेफर वाढ ही एक जटिल प्रक्रिया आहे, बहुतेकदा दोन-चरण पद्धतीचा वापर केला जातो. या पद्धतीमध्ये उच्च-तापमान बेकिंग, बफर लेयरची वाढ, पुनर्स्थापना आणि ॲनिलिंग यासह अनेक गंभीर टप्प्यांचा समावेश आहे. या अवस्थेमध्ये तापमानावर बारकाईने नियंत्रण ठेवून, दोन-चरण वाढीची पद्धत जा......
पुढे वाचासेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंगमध्ये एचिंग ही एक आवश्यक प्रक्रिया आहे. या प्रक्रियेचे दोन प्रकारांमध्ये वर्गीकरण केले जाऊ शकते: कोरडे खोदकाम आणि ओले कोरीवकाम. प्रत्येक तंत्राचे स्वतःचे फायदे आणि मर्यादा आहेत, ज्यामुळे त्यांच्यातील फरक समजून घेणे महत्वाचे आहे. तर, आपण सर्वोत्तम कोरीव पद्धत कशी निवडाल? ड्......
पुढे वाचा