MOCVD साठी SiC ससेप्टर

MOCVD साठी आमचे SiC ससेप्टर हे उच्च-गुणवत्तेचे उत्पादन आहे ज्यामध्ये अनेक प्रमुख वैशिष्ट्ये आहेत. हे सर्व पृष्ठभागावर कोटिंग सुनिश्चित करते, सोलणे टाळते आणि उच्च-तापमान ऑक्सिडेशन प्रतिरोधक असते, 1600 डिग्री सेल्सियस पर्यंत उच्च तापमानातही स्थिरता सुनिश्चित करते. उत्पादन उच्च-तापमान क्लोरीनेशन परिस्थितीत CVD रासायनिक वाष्प जमा करून उच्च शुद्धतेसह तयार केले जाते. त्यात सूक्ष्म कणांसह दाट पृष्ठभाग आहे, ज्यामुळे ते आम्ल, अल्कली, मीठ आणि सेंद्रिय अभिकर्मकांपासून गंजण्यास अत्यंत प्रतिरोधक बनते.
एमओसीव्हीडीसाठी आमचा SiC ससेप्टर सर्वोत्तम लॅमिनार गॅस फ्लो पॅटर्नची हमी देण्यासाठी, थर्मल प्रोफाइलची समानता सुनिश्चित करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहे. हे वेफर चिपवर उच्च-गुणवत्तेच्या एपिटॅक्सियल वाढीची खात्री करून, कोणत्याही दूषित किंवा अशुद्धतेच्या प्रसारास प्रतिबंध करते.

MOCVD साठी SiC ससेप्टरचे मापदंड

MOCVD साठी SiC ससेप्टरची वैशिष्ट्ये

- सोलणे टाळा आणि सर्व पृष्ठभागावर कोटिंग सुनिश्चित करा
उच्च तापमान ऑक्सिडेशन प्रतिरोध: 1600 डिग्री सेल्सियस पर्यंत उच्च तापमानात स्थिर
उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनेशन परिस्थितीत CVD रासायनिक वाष्प जमा करून बनविलेले.
गंज प्रतिकार: उच्च कडकपणा, दाट पृष्ठभाग आणि सूक्ष्म कण.
गंज प्रतिकार: आम्ल, अल्कली, मीठ आणि सेंद्रिय अभिकर्मक.
- सर्वोत्कृष्ट लॅमिनार वायू प्रवाह नमुना प्राप्त करा
- थर्मल प्रोफाइलच्या समानतेची हमी
- कोणतीही दूषितता किंवा अशुद्धता पसरवण्यास प्रतिबंध करा