6 इंच SiC बोट

Semicorex 6 Inch SiC बोट हे उच्च-तापमान अर्धसंवाहक प्रक्रियेचे कार्यप्रदर्शन आणि कार्यक्षमता ऑप्टिमाइझ करण्यासाठी डिझाइन केलेले प्रगत वेफर वाहक आहे, विशेषत: ऑक्सिडेशन, प्रसार आणि इतर थर्मल प्रक्रियांसारख्या अनुप्रयोगांसाठी. उच्च-गुणवत्तेचे सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) पासून बनविलेले, हे उत्पादन गंभीर उच्च-तापमान ऑपरेशन्स दरम्यान सेमीकंडक्टर वेफर्स ठेवण्यासाठी, उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता, उत्कृष्ट गंज प्रतिकार आणि कमीतकमी दूषित धोके प्रदान करण्यासाठी एक मजबूत उपाय प्रदान करते.

6 इंच SiC बोट उच्च-शुद्धता सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) वापरून तयार केली जाते, ही सामग्री तिच्या उत्कृष्ट थर्मल गुणधर्म, रासायनिक प्रतिकार आणि कठोर वातावरणात टिकाऊपणासाठी ओळखली जाते. SiC चा उच्च वितळ बिंदू (अंदाजे 2,700°C) असल्यामुळे सेमीकंडक्टर उत्पादनामध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते, ज्यामुळे ते ऑक्सिडेशन आणि डिफ्यूजन फर्नेसमध्ये वेफर प्रक्रियेसारख्या उच्च-तापमान अनुप्रयोगांसाठी आदर्श बनते. बोटचे डिझाइन उत्कृष्ट संरचनात्मक अखंडता आणि समान उष्णता वितरण सुनिश्चित करते, जे सेमीकंडक्टर क्रिस्टल वाढ, ऑक्सिडेशन आणि इतर थर्मल उपचारांमध्ये सातत्यपूर्ण परिणाम साध्य करण्यासाठी महत्त्वपूर्ण आहेत.

मुख्य वैशिष्ट्ये आणि फायदे

उच्च थर्मल स्थिरता

SiC ची अपवादात्मक थर्मल चालकता हे सुनिश्चित करते की 6 इंच SiC बोट विकृत किंवा खराब न होता अत्यंत तापमानाचा सामना करू शकते. ऑक्सिडेशन आणि प्रसार प्रक्रियेदरम्यान ही मालमत्ता विशेषतः मौल्यवान आहे, जेथे सुसंगत वेफर प्रक्रियेसाठी अचूक तापमान नियंत्रण आवश्यक आहे.

उत्कृष्ट रासायनिक प्रतिकार

सिलिकॉन कार्बाइडचा रासायनिक क्षरणासाठी अंतर्निहित प्रतिकार बोट अशा वातावरणात वापरण्यासाठी आदर्श बनवते जेथे ऑक्सिजन, नायट्रोजन किंवा इतर प्रतिक्रियाशील घटकांसारख्या आक्रमक वायूंचा संपर्क सामान्य आहे. बोट उच्च-तापमान, रासायनिक प्रतिक्रियाशील वातावरणात त्याची संरचनात्मक अखंडता आणि कार्यप्रदर्शन राखते, ज्यामुळे दूषित होण्याची शक्यता कमी होते.

उच्च-तापमान टिकाऊपणा

6 इंच SiC बोट 1,500°C पर्यंत तापमानात काम करण्यासाठी इंजिनीयर केलेली आहे, ऑक्सिडेशन आणि डिफ्यूजनसह अनेक उच्च-तापमान अर्धसंवाहक प्रक्रियांसाठी आवश्यक आहे. ही उच्च-तापमान सहनशीलता मागणी असलेल्या अनुप्रयोगांमध्येही दीर्घ सेवा आयुष्य सुनिश्चित करते.

कमी दूषित होण्याचा धोका

सेमीकंडक्टर प्रक्रियेतील एक महत्त्वाचा घटक म्हणजे वेफर पृष्ठभागाची दूषितता कमी करणे. SiC ची कमी अशुद्धता पातळी आणि गैर-प्रतिक्रियाशील निसर्ग याची खात्री करते की 6 इंच SiC बोट स्वच्छ आणि नियंत्रित वातावरणात योगदान देते, ज्यामुळे प्रक्रियेदरम्यान अवांछित दूषित होण्याचा धोका कमी होतो.

एकसमान वेफर सपोर्ट

बोटीचे डिझाइन हे सुनिश्चित करते की वेफर्स समान रीतीने समर्थित आहेत, इष्टतम वेफर संरेखन राखतात आणि उच्च-तापमान प्रक्रियेदरम्यान कोणतेही सॅगिंग किंवा चुकीचे संरेखन प्रतिबंधित करते. हे एकसमान समर्थन सातत्यपूर्ण परिणाम सुनिश्चित करण्यासाठी आणि वेफर दोष टाळण्यासाठी आवश्यक आहे.

सानुकूलित पर्याय

6 इंच SiC बोट विशिष्ट ग्राहकांच्या गरजा पूर्ण करण्यासाठी सानुकूलित केली जाऊ शकते, ज्यात विविध वेफर प्रकारांसाठी तयार केलेले आकार, आकार आणि कॉन्फिगरेशन समाविष्ट आहे. ऑक्सिडेशन, प्रसार किंवा इतर थर्मल प्रक्रियांसाठी वापरला जात असला तरीही, बोट ग्राहकाच्या विशिष्ट प्रक्रियेच्या प्रवाहासाठी अनुकूल केली जाऊ शकते.

सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंगमधील अनुप्रयोग

6 इंच SiC बोट प्रामुख्याने सेमीकंडक्टर उत्पादनात उच्च-तापमान थर्मल प्रक्रियांमध्ये वापरली जाते. हे विशेषतः ऑक्सिडेशन आणि डिफ्यूजन फर्नेसमध्ये प्रभावी आहे, जेथे यशस्वी वेफर प्रक्रियेसाठी तापमान आणि वातावरणाचे अचूक नियंत्रण आवश्यक आहे.

• ऑक्सिडेशन प्रक्रिया: ऑक्सिडेशन प्रक्रियेदरम्यान, सिलिकॉन वेफर्स भारदस्त तापमानात ऑक्सिजनच्या संपर्कात येतात आणि वेफरच्या पृष्ठभागावर पातळ सिलिकॉन डायऑक्साइड थर तयार करतात. 6 इंच SiC बोट हे सुनिश्चित करते की या उच्च-तापमान प्रक्रियेदरम्यान वेफर्स सुरक्षितपणे आणि समान रीतीने धरले जातात, विकृतीकरण किंवा चुकीचे संरेखन रोखते आणि एकसमान ऑक्साईड थर वाढ सुनिश्चित करते.
• प्रसार प्रक्रिया: प्रसार प्रक्रियेत, डोपेंट्स सिलिकॉन वेफरमध्ये त्याचे विद्युत गुणधर्म सुधारण्यासाठी सादर केले जातात. या गंभीर टप्प्यावर SiC बोट वेफर्ससाठी स्थिर आणि विश्वासार्ह समर्थन प्रदान करते, जेथे उच्च तापमान आणि प्रसार वातावरणाचे अचूक नियंत्रण सर्वोपरि आहे. त्याची उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता एकसमान हीटिंग सुनिश्चित करते, जे इच्छित डोपेंट प्रोफाइल प्राप्त करण्यासाठी महत्त्वपूर्ण आहे.
• इतर उच्च-तापमान अनुप्रयोग: ऑक्सिडेशन आणि डिफ्यूजनच्या पलीकडे, 6 इंच SiC बोट इतर उच्च-तापमान प्रक्रियांमध्ये वापरली जाऊ शकते, जसे की ॲनिलिंग, नायट्रिडेशन आणि एपिटॅक्सियल ग्रोथ. त्याची उच्च थर्मल चालकता आणि थर्मल शॉकचा प्रतिकार यामुळे सेमीकंडक्टर डिव्हाइस फॅब्रिकेशनच्या विविध टप्प्यांसाठी ते एक बहुमुखी समाधान बनवते.

इतर साहित्यापेक्षा फायदे

क्वार्ट्ज किंवा ग्रेफाइट सारख्या पारंपारिक सामग्रीच्या तुलनेत, सिलिकॉन कार्बाइड अर्धसंवाहक उत्पादनात महत्त्वपूर्ण फायदे देते. क्वार्ट्ज बोटी थर्मल शॉक आणि रासायनिक अभिक्रियांना अधिक संवेदनाक्षम असतात, तर ग्रेफाइट बोटी बाहेर जाऊ शकतात आणि दूषित होऊ शकतात. दुसरीकडे, SiC बोटी, दूषित, थर्मल अस्थिरता किंवा ऱ्हासाच्या जोखमींशिवाय कठोर वातावरणात त्यांची कार्यक्षमता कायम ठेवतात. हे उच्च-तापमान अर्धसंवाहक प्रक्रियेसाठी 6 इंच SiC बोट अधिक विश्वासार्ह आणि कार्यक्षम पर्याय बनवते.

सेमीकोरेक्स 6 इंच SiC बोट सेमीकंडक्टर उद्योगातील एक महत्त्वाचा घटक आहे, जो प्रगत वेफर प्रक्रियेसाठी आवश्यक स्थिरता, रासायनिक प्रतिकार आणि थर्मल कार्यक्षमता प्रदान करते. त्याची उच्च थर्मल चालकता, रासायनिक गंजांना प्रतिकार आणि कमीतकमी दूषित होण्याचा धोका यामुळे ऑक्सिडेशन, प्रसार आणि इतर उच्च-तापमान अर्धसंवाहक प्रक्रियांसाठी आदर्श पर्याय बनतो. संशोधन आणि विकास किंवा मोठ्या प्रमाणात उत्पादनात वापरलेले असो, 6 इंच SiC बोट सेमीकंडक्टर उत्पादनात उच्च दर्जाचे परिणाम सुनिश्चित करण्यासाठी आवश्यक कामगिरी आणि विश्वासार्हता प्रदान करते.