मार्गदर्शक रिंग

क्रिस्टल ग्रोथ वातावरणास अनुकूलित करण्यासाठी डिझाइन केलेले एसआयसी (सिलिकॉन कार्बाईड) सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेसमध्ये सेमीकोरेक्स गाईड रिंग एक महत्त्वपूर्ण घटक आहे. ही उच्च-कार्यक्षमता मार्गदर्शक रिंग उच्च-शुद्धता ग्रेफाइटपासून तयार केली गेली आहे आणि अत्याधुनिक सीव्हीडी (केमिकल वाफ जमा) वैशिष्ट्यीकृत आहेटँटलम कार्बाइड (टीएसी) कोटिंग? या सामग्रीचे संयोजन उत्कृष्ट टिकाऊपणा, औष्णिक स्थिरता आणि अत्यंत रासायनिक आणि शारीरिक परिस्थितीला प्रतिकार सुनिश्चित करते.

साहित्य आणि कोटिंग

मार्गदर्शक रिंगची बेस मटेरियल उच्च-शुद्धता ग्रेफाइट आहे, जी त्याच्या उत्कृष्ट थर्मल चालकता, यांत्रिक शक्ती आणि उच्च तापमानात स्थिरतेसाठी निवडली जाते. त्यानंतर ग्रेफाइट सब्सट्रेट प्रगत सीव्हीडी प्रक्रियेचा वापर करून टॅन्टलम कार्बाईडच्या दाट, एकसमान थरसह लेपित केले जाते. टॅन्टलम कार्बाईड त्याच्या अपवादात्मक कडकपणा, ऑक्सिडेशन रेझिस्टन्स आणि रासायनिक जडत्व यासाठी सुप्रसिद्ध आहे, ज्यामुळे कठोर वातावरणात कार्यरत ग्रेफाइट घटकांसाठी एक आदर्श संरक्षक थर बनतो.

गॅलियम नायट्राइड (जीएएन) आणि सिलिकॉन कार्बाईड (एसआयसी) द्वारे प्रतिनिधित्व केलेल्या तिसर्‍या पिढीच्या वाइड बॅन्डगॅप सेमीकंडक्टर मटेरियलमध्ये उत्कृष्ट फोटोइलेक्ट्रिक रूपांतरण आणि मायक्रोवेव्ह सिग्नल ट्रान्समिशन क्षमता आहे आणि उच्च-वारंवारता, उच्च-तापमान, उच्च-शक्ती आणि रेडिएशन-प्रतिरोधक इलेक्ट्रॉनिक डब्यांची आवश्यकता पूर्ण करू शकते. म्हणूनच, त्यांच्याकडे नवीन जनरेशन मोबाइल कम्युनिकेशन्स, नवीन उर्जा वाहने, स्मार्ट ग्रीड्स आणि एलईडीच्या क्षेत्रात विस्तृत अनुप्रयोगांची शक्यता आहे. तिसर्‍या पिढीच्या सेमीकंडक्टर इंडस्ट्री चेनच्या व्यापक विकासासाठी की कोर तंत्रज्ञानामध्ये तातडीने प्रगती करणे, डिव्हाइस डिझाइन आणि नाविन्यपूर्णतेची सतत प्रगती आणि आयात अवलंबित्वचे निराकरण करणे आवश्यक आहे.

सिलिकॉन कार्बाईड वेफर ग्रोथचे उदाहरण म्हणून, थर्मल फील्ड मटेरियलमधील ग्रेफाइट मटेरियल आणि कार्बन-कार्बन कंपोझिट मटेरियल 2300 at वर जटिल वातावरण (एसआय, एसआयसी, सीआयसी) प्रक्रिया पूर्ण करणे कठीण आहे. केवळ सर्व्हिस लाइफचच नाही तर प्रत्येक ते दहा भट्टी बदलले जातात आणि उच्च तापमानात ग्रेफाइटची घुसखोरी आणि अस्थिरतेमुळे कार्बन समावेशासारख्या क्रिस्टल दोष सहज होऊ शकतात. सेमीकंडक्टर क्रिस्टल्सची उच्च प्रतीची आणि स्थिर वाढ सुनिश्चित करण्यासाठी आणि औद्योगिक उत्पादनाच्या किंमतीचा विचार करण्यासाठी, अल्ट्रा-उच्च तापमान गंज-प्रतिरोधक सिरेमिक कोटिंग्ज ग्रेफाइट भागांच्या पृष्ठभागावर तयार केल्या जातात, ज्यामुळे ग्रेफाइट घटकांचे जीवन वाढेल, अशक्तपणाचे स्थलांतर प्रतिबंधित करते आणि क्रिस्टल शुद्धता सुधारते. सिलिकॉन कार्बाईडच्या एपिटॅक्सियल ग्रोथमध्ये, सिलिकॉन कार्बाईड लेपित ग्रेफाइट स्यूससेप्टर सामान्यत: सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेटला समर्थन आणि गरम करण्यासाठी वापरला जातो. त्याचे सेवा जीवन अद्याप सुधारणे आवश्यक आहे आणि इंटरफेसवरील सिलिकॉन कार्बाइड ठेवी नियमितपणे साफ करणे आवश्यक आहे. याउलट,टँटलम कार्बाइड (टीएसी) कोटिंगसंक्षारक वातावरण आणि उच्च तापमानासाठी अधिक प्रतिरोधक आहे आणि अशा एसआयसी क्रिस्टल्सच्या "वाढ, जाडी आणि गुणवत्ता" साठी मुख्य तंत्रज्ञान आहे.

जेव्हा एसआयसी भौतिक वाष्प वाहतूक (पीव्हीटी) द्वारे तयार केली जाते, तेव्हा बियाणे क्रिस्टल तुलनेने कमी तापमान झोनमध्ये असते आणि एसआयसी कच्चा माल तुलनेने उच्च तापमान झोनमध्ये असतो (2400 ℃ च्या वर). कच्चा माल सिक्ससी (प्रामुख्याने एसआय, एसआयसी, एसआयसी इ. असलेले) तयार करण्यासाठी विघटित होतो आणि गॅस फेज सामग्री कमी तापमान क्षेत्रातील बियाणे क्रिस्टलमध्ये उच्च तापमान झोनमधून नेली जाते आणि न्यूक्लिएट्स आणि एकच क्रिस्टल तयार करण्यासाठी वाढते. या प्रक्रियेमध्ये वापरल्या जाणार्‍या उष्मा फील्ड मटेरियल, जसे की क्रूसिबल, गाईड रिंग आणि बियाणे क्रिस्टल धारक, उच्च तापमानास प्रतिरोधक असणे आवश्यक आहे आणि एसआयसी कच्च्या सामग्री आणि एसआयसी सिंगल क्रिस्टलला दूषित करणार नाही. टीएसी-लेपित ग्रेफाइट थर्मल फील्ड मटेरियलचा वापर करून तयार केलेले एसआयसी आणि एएलएन क्लीनर आहेत, कार्बन (ऑक्सिजन, नायट्रोजन), प्रत्येक प्रदेशात कमी काठाचे दोष, कमी प्रतिरोधकता, आणि मायक्रोपोरची घनता आणि एट पिट घनता (केओएच एचिंग नंतर), क्रिस्टलची गुणवत्ता मोठ्या प्रमाणात सुधारली नाही. याव्यतिरिक्त, टीएसी क्रूसिबलचे वजन कमी करण्याचे प्रमाण जवळजवळ शून्य आहे, देखावा अखंड आहे आणि त्याचे पुनर्वापर केले जाऊ शकते, ज्यामुळे अशा स्फटिकाच्या तयारीची टिकाव आणि कार्यक्षमता सुधारू शकते.