Lnoi wafer

याउलट, लिथियम निओबेट पातळ फिल्म्स (एलएनओआय वेफर्स) एक महत्त्वपूर्ण अपवर्तक निर्देशांक कॉन्ट्रास्ट ऑफर करतात, ज्यामुळे वेव्हगॉइड्सला केवळ दहापट मायक्रॉन आणि सबमिक्रॉन क्रॉस-सेक्शनचे वाकणे सक्षम होते. हे प्रकाश आणि पदार्थांमधील परस्परसंवाद वाढवून उच्च-घनतेच्या फोटॉन एकत्रीकरण आणि मजबूत प्रकाश बंदी घालण्यास अनुमती देते.

ल्नोई वेफर्स पल्स्ड लेसर जमा, जेल-जेल पद्धती, आरएफ मॅग्नेट्रॉन स्पटरिंग आणि रासायनिक वाष्प जमा यासह विविध तंत्रांचा वापर करून तयार केले जाऊ शकतात. तथापि, या तंत्रांमधून तयार केलेले एलएनओआय बहुतेक वेळा पॉलीक्रिस्टलिन स्ट्रक्चर प्रदर्शित करते, ज्यामुळे प्रकाश ट्रान्समिशन कमी होते. याव्यतिरिक्त, चित्रपटाच्या भौतिक गुणधर्मांमध्ये आणि सिंगल-क्रिस्टल एलएनच्या दरम्यान लक्षणीय अंतर आहे, जे फोटॉनिक डिव्हाइसच्या कामगिरीवर नकारात्मक परिणाम करते.

एलएनओआय वेफर्स तयार करण्याच्या इष्टतम पद्धतीमध्ये आयन रोपण, थेट बाँडिंग आणि थर्मल ne नीलिंग यासारख्या प्रक्रियेचे संयोजन आहे, जे मोठ्या प्रमाणात एलएन मटेरियलमधून एलएन फिल्मला शारीरिकरित्या सोलते आणि त्यास सब्सट्रेटमध्ये स्थानांतरित करते. पीसणे आणि पॉलिशिंग तंत्र देखील उच्च-गुणवत्तेचे एलएनओआय देखील मिळवू शकते. हा दृष्टिकोन आयन इम्प्लांटेशन दरम्यान एलएन क्रिस्टल जाळीचे नुकसान कमी करते आणि क्रिस्टल गुणवत्ता राखते, परंतु चित्रपटाच्या जाडीच्या एकसमानतेवर कठोर नियंत्रण दिले गेले असेल तर. एलएनओआय वेफर्स केवळ इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल, अकॉस्टो-ऑप्टिक आणि नॉनलाइनर ऑप्टिकल वैशिष्ट्ये सारख्या आवश्यक गुणधर्मच टिकवून ठेवत नाहीत तर एकच क्रिस्टल स्ट्रक्चर देखील ठेवतात, जे कमी ऑप्टिकल ट्रांसमिशन कमी करण्यासाठी फायदेशीर आहे.

ऑप्टिकल वेव्हगुइड्स एकात्मिक फोटॉनिक्समधील मूलभूत उपकरणे आहेत आणि त्यांच्या तयारीसाठी विविध पद्धती अस्तित्वात आहेत. प्रोटॉन एक्सचेंज सारख्या पारंपारिक तंत्राचा वापर करून एलएनओआय वेफर्सवरील वेव्हगॉइड्स स्थापित केले जाऊ शकतात. एलएन रासायनिकदृष्ट्या निष्क्रिय असल्याने, एचिंग टाळण्यासाठी, लोडिंग स्ट्रिप वेव्हगॉइड्स तयार करण्यासाठी सहजपणे कोरलेली सामग्री एलएनओआयवर जमा केली जाऊ शकते. लोडिंग स्ट्रिप्ससाठी योग्य सामग्रीमध्ये टीआयओ 2, एसआयओ 2, सिन्क्स, टीए 2 ओ 5, चालकोजेनाइड ग्लास आणि सिलिकॉन समाविष्ट आहे. रासायनिक मेकॅनिकल पॉलिशिंग पद्धतीचा वापर करून तयार केलेल्या एलएनओआय ऑप्टिकल वेव्हगुइडने 0.027 डीबी/सेमीचा प्रसार कमी केला आहे; तथापि, त्याचे उथळ वेव्हगुइड साइडवॉल लहान वाकलेल्या रेडिओसह वेव्हगॉइड्सची प्राप्ती गुंतागुंत करते. प्लाझ्मा एचिंग पद्धतीचा वापर करून तयार केलेल्या एलएनओआय वेफर वेव्हगुइडने फक्त 0.027 डीबी/सेमीचे ट्रान्समिशन लॉस गाठले. हे एक महत्त्वपूर्ण मैलाचा दगड दर्शवते, हे दर्शविते की मोठ्या प्रमाणात फोटॉन एकत्रीकरण आणि एकल-फोटॉन-स्तरीय प्रक्रिया लक्षात येऊ शकते. ऑप्टिकल वेव्हगॉइड्स व्यतिरिक्त, एलएनओआय वर असंख्य उच्च-कार्यक्षमता फोटॉनिक उपकरणे विकसित केली गेली आहेत, ज्यात मायक्रो-रिंग/मायक्रो-डिस्क रेझोनेटर्स, एंड आणि ग्रेटिंग कपलर आणि फोटॉनिक क्रिस्टल्सचा समावेश आहे. विविध प्रकारचे फंक्शनल फोटॉनिक डिव्हाइस देखील यशस्वीरित्या तयार केले गेले आहेत. लिथियम निओबेट (एलएन) क्रिस्टल्सच्या अपवादात्मक इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल आणि नॉनलाइनर ऑप्टिकल प्रभावांचा फायदा घेताना उच्च-बँडविड्थ ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक मॉड्युलेशन, कार्यक्षम नॉनलाइनर रूपांतरण आणि इलेक्ट्रो-ऑप्टिकली कंट्रोल करण्यायोग्य ऑप्टिकल वारंवारता कंघी पिढी, इतर फोटॉनिक कार्यक्षमतेसह. एलएन एक अकॉस्टो-ऑप्टिक प्रभाव देखील प्रदर्शित करते. एलएनओआय वर तयार केलेला अकॉस्टो-ऑप्टिक माच-झेंडर मॉड्युलेटर निलंबित लिथियम निओबेट फिल्ममध्ये ऑप्टोमेकॅनिकल परस्परसंवादाचा वापर करते.

याव्यतिरिक्त, नीलम सब्सट्रेटच्या वरील एलएन फिल्मवर बनावट अकॉस्टो-ऑप्टिक मॉड्यूलेटर नीलमच्या उच्च आवाजाच्या वेगामुळे निलंबनाच्या संरचनेची आवश्यकता टाळते, ज्यामुळे ध्वनिक वेव्ह उर्जा गळती कमी होण्यास मदत होते. एलएनओआय वर विकसित केलेला इंटिग्रेटेड अकॉस्टो-ऑप्टिक फ्रीक्वेंसी शिफ्टर अॅल्युमिनियम नायट्राइड फिल्मवरील बनावट लोकांच्या तुलनेत उच्च वारंवारता शिफ्ट कार्यक्षमता दर्शवितो. दुर्मिळ पृथ्वी-डोप्ड एलएनओआय वापरुन लेसर आणि एम्पलीफायरमध्ये प्रगती देखील केली गेली आहे. तथापि, एलएनओआय वेफर्सचे दुर्मिळ पृथ्वी-डोप्ड प्रदेश संप्रेषण ऑप्टिकल बँडमध्ये महत्त्वपूर्ण प्रकाश शोषण दर्शवितात, जे मोठ्या प्रमाणात फोटॉनिक एकत्रीकरणास अडथळा आणते. एलएनओआय वर स्थानिक दुर्मिळ पृथ्वी डोपिंग एक्सप्लोर करणे या समस्येचे निराकरण करू शकते. फोटोडेटेक्टर तयार करण्यासाठी अनाकार सिलिकॉन एलएनओआय वर जमा केले जाऊ शकते. परिणामी मेटल-सीमिकंडक्टर आणि मेटल फोटोडेटेक्टर्स 635-850 एनएमच्या तरंगलांबी ओलांडून 22-37 एमए/डब्ल्यूची जबाबदारी दर्शवितात. त्याचबरोबर, एलएनओआय वर विषमतेने III-V सेमीकंडक्टर लेसर आणि डिटेक्टर एकत्रित करणे या सामग्रीवरील लेसर आणि डिटेक्टर विकसित करण्यासाठी आणखी एक व्यवहार्य समाधान सादर करते. तथापि, तयारी प्रक्रिया जटिल आणि महाग आहे, खर्च कमी करण्यासाठी आणि यशाचा दर वाढविण्यासाठी सुधारणा आवश्यक आहेत.