सिलिकॉन ऑन इन्सुलेटर वेफर

सिलिकॉन ऑन इन्सुलेटर वेफरच्या संरचनेत तीन मुख्य स्तर असतात. वरचा थर एकल-क्रिस्टल सिलिकॉनची पातळ फिल्म आहे, ज्याची जाडी काही नॅनोमीटरपासून काही मायक्रोमीटरपर्यंत असते. हा पातळ सिलिकॉन थर सक्रिय प्रदेश म्हणून काम करतो जेथे ट्रान्झिस्टर आणि इतर इलेक्ट्रॉनिक घटक बांधले जातात.

पातळ सिलिकॉन थराच्या खाली इन्सुलेट सामग्रीचा थर असतो. हा इन्सुलेट थर अडथळा म्हणून काम करतो, पातळ सिलिकॉन थर आणि सब्सट्रेट लेयर दरम्यान विद्युत शुल्काचा प्रवाह रोखतो.

तळाचा थर हा सब्सट्रेट आहे, जो सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉनचा जाड थर आहे. हे वेफरला यांत्रिक समर्थन प्रदान करते आणि व्युत्पन्न उष्णता नष्ट करण्यासाठी उष्णता सिंक म्हणून देखील कार्य करते.

सिलिकॉन ऑन इन्सुलेटर वेफरच्या उत्पादन प्रक्रियेमध्ये वेफर बाँडिंग आणि लेयर ट्रान्सफर पद्धतींसह विविध तंत्रांचा समावेश आहे. ही तंत्रे इन्सुलेटिंग लेयरच्या शीर्षस्थानी उच्च-गुणवत्तेचा पातळ सिलिकॉन थर तयार करण्यास सक्षम करतात.

सिलिकॉन ऑन इन्सुलेटर वेफर सेमीकंडक्टर उद्योगात, विशेषत: मायक्रोप्रोसेसर, मेमरी उपकरणे, आरएफ सर्किट्स आणि हाय-स्पीड कम्युनिकेशन सिस्टम्सच्या उत्पादनात वाढत्या प्रमाणात महत्त्वपूर्ण बनले आहे. त्यांची अनोखी रचना आणि फायदे त्यांना प्रगत इलेक्ट्रॉनिक ऍप्लिकेशन्ससाठी पसंतीचा पर्याय बनवतात, जे विविध क्षेत्रात जलद आणि अधिक कार्यक्षम उपकरणांमध्ये योगदान देतात.