सिलिकॉन कार्बाइड पॉवर डिव्हाइसेसचा परिचय

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC)पॉवर उपकरणे ही सिलिकॉन कार्बाइड सामग्रीपासून बनविलेली अर्धसंवाहक उपकरणे आहेत, जी प्रामुख्याने उच्च-वारंवारता, उच्च-तापमान, उच्च-व्होल्टेज आणि उच्च-शक्ती इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगांमध्ये वापरली जातात. पारंपारिक सिलिकॉन (Si) आधारित उर्जा उपकरणांच्या तुलनेत, सिलिकॉन कार्बाइड उर्जा उपकरणांमध्ये उच्च बँडगॅप रुंदी, उच्च क्रिटिकल ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फील्ड, उच्च औष्णिक चालकता आणि उच्च संतृप्त इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग आहे, ज्यामुळे त्यांच्याकडे मोठ्या विकासाची क्षमता आणि क्षेत्रामध्ये अनुप्रयोग मूल्य आहे. पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्सचे.

SiC पॉवर उपकरणांचे फायदे

1. उच्च बँडगॅप: SiC चा बँडगॅप सुमारे 3.26eV आहे, जो सिलिकॉनच्या तिप्पट आहे, ज्यामुळे SiC उपकरणांना उच्च तापमानात स्थिरपणे कार्य करण्यास सक्षम करते आणि उच्च-तापमान वातावरणाचा सहज परिणाम होत नाही.

2. हाय ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फील्ड: SiC चे ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फील्ड स्ट्रेंथ सिलिकॉनच्या दहापट आहे, याचा अर्थ SiC डिव्हाइसेस ब्रेकडाउनशिवाय उच्च व्होल्टेजचा सामना करू शकतात, ज्यामुळे ते उच्च-व्होल्टेज ऍप्लिकेशनसाठी अतिशय योग्य बनतात.

3. उच्च थर्मल चालकता: SiC ची थर्मल चालकता सिलिकॉनच्या तुलनेत तीन पटीने जास्त आहे, ज्यामुळे अधिक कार्यक्षम उष्णता नष्ट होण्यास अनुमती मिळते, ज्यामुळे उर्जा उपकरणांची विश्वासार्हता आणि आयुष्य सुधारते.

4. उच्च इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग: SiC चा इलेक्ट्रॉन संपृक्तता ड्रिफ्ट वेग सिलिकॉनच्या दुप्पट आहे, ज्यामुळे SiC उपकरणे उच्च-फ्रिक्वेंसी ऍप्लिकेशन्समध्ये चांगली कामगिरी करतात.

सिलिकॉन कार्बाइड पॉवर उपकरणांचे वर्गीकरण

विविध संरचना आणि अनुप्रयोगांनुसार, सिलिकॉन कार्बाइड उर्जा उपकरणे खालील श्रेणींमध्ये विभागली जाऊ शकतात:

1. SiC diodes: प्रामुख्याने Schottky diodes (SBD) आणि PIN डायोड समाविष्ट करतात. SiC Schottky डायोड्समध्ये कमी फॉरवर्ड व्होल्टेज ड्रॉप आणि जलद पुनर्प्राप्ती वैशिष्ट्ये आहेत, उच्च-फ्रिक्वेंसी आणि उच्च-कार्यक्षमता पॉवर रूपांतरण अनुप्रयोगांसाठी योग्य.

2. SiC MOSFET: हे व्होल्टेज-नियंत्रित पॉवर डिव्हाइस आहे ज्यामध्ये कमी ऑन-रेझिस्टन्स आणि वेगवान स्विचिंग वैशिष्ट्ये आहेत. हे इन्व्हर्टर, इलेक्ट्रिक वाहने, स्विचिंग पॉवर सप्लाय आणि इतर फील्डमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते.

3. SiC JFET: यात हाय-व्होल्टेज आणि हाय-फ्रिक्वेंसी पॉवर कन्व्हर्जन ऍप्लिकेशन्ससाठी योग्य, उच्च प्रतिकार व्होल्टेज आणि उच्च स्विचिंग गतीची वैशिष्ट्ये आहेत.

4. SiC IGBT: हे MOSFET चा उच्च इनपुट प्रतिबाधा आणि मध्यम आणि उच्च व्होल्टेज पॉवर रूपांतरण आणि मोटर ड्राइव्हसाठी योग्य असलेल्या BJT ची कमी ऑन-प्रतिरोधक वैशिष्ट्ये एकत्र करते.

सिलिकॉन कार्बाइड पॉवर उपकरणांचे अनुप्रयोग

1. इलेक्ट्रिक वाहने (EV): इलेक्ट्रिक वाहनांच्या ड्राइव्ह सिस्टीममध्ये, SiC उपकरणे मोटार कंट्रोलर आणि इनव्हर्टरची कार्यक्षमता मोठ्या प्रमाणात सुधारू शकतात, पॉवर लॉस कमी करू शकतात आणि ड्रायव्हिंग रेंज वाढवू शकतात.

2. नवीकरणीय ऊर्जा: सौर आणि पवन ऊर्जा निर्मिती प्रणालींमध्ये, ऊर्जा रूपांतरण कार्यक्षमता सुधारण्यासाठी आणि सिस्टम खर्च कमी करण्यासाठी इनव्हर्टरमध्ये SiC उर्जा उपकरणे वापरली जातात.

3. औद्योगिक वीज पुरवठा: औद्योगिक वीज पुरवठा प्रणालींमध्ये, SiC उपकरणे उर्जा घनता आणि कार्यक्षमता सुधारू शकतात, आवाज आणि वजन कमी करू शकतात आणि सिस्टम कार्यप्रदर्शन सुधारू शकतात.

4. पॉवर ग्रिड आणि ट्रान्समिशन आणि वितरण: हाय-व्होल्टेज डायरेक्ट करंट ट्रान्समिशन (HVDC) आणि स्मार्ट ग्रिड्समध्ये, SiC पॉवर उपकरणे रूपांतरण कार्यक्षमता सुधारू शकतात, उर्जेची हानी कमी करू शकतात आणि पॉवर ट्रान्समिशनची विश्वासार्हता आणि स्थिरता सुधारू शकतात.

5. एरोस्पेस: एरोस्पेस क्षेत्रात, SiC उपकरणे उच्च तापमान आणि उच्च रेडिएशन वातावरणात स्थिरपणे कार्य करू शकतात आणि उपग्रह आणि उर्जा व्यवस्थापन यासारख्या महत्त्वाच्या अनुप्रयोगांसाठी योग्य आहेत.

सेमिकोरेक्स उच्च-गुणवत्तेची ऑफर करतेसिलिकॉन कार्बाइड वेफर्स. आपल्याकडे काही चौकशी असल्यास किंवा अतिरिक्त तपशीलांची आवश्यकता असल्यास, कृपया आमच्याशी संपर्क साधण्यास अजिबात संकोच करू नका.

संपर्क फोन # +86-13567891907

ईमेल: sales@semicorex.com