- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
बातम्या
ग्रेफाइट बोटीच्या मुख्य तंत्रज्ञानाचा परिचय
ग्रेफाइट बोट, त्याच्या उद्योगातील तांत्रिक नवकल्पनामध्ये आघाडीवर आहे, ज्यामध्ये कार्यप्रदर्शन, शुद्धता आणि आयुर्मान वाढविण्यासाठी डिझाइन केलेल्या ग्राउंडब्रेकिंग प्रगतीचा संच आहे. खाली, आम्ही ग्रेफाइट बोटच्या उत्कृष्टतेची व्याख्या करणार्‍या मुख्य तंत्रज्ञानाचा शोध घेत आहोत:
पुढे वाचा
PVT पद्धतीद्वारे उच्च दर्जाच्या SiC क्रिस्टल वाढीसाठी सच्छिद्र ग्रेफाइट
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानाच्या क्षेत्रातील एक प्रमुख सामग्री म्हणून उदयास आले आहे, जे अपवादात्मक गुणधर्म ऑफर करते जे विविध इलेक्ट्रॉनिक आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगांसाठी अत्यंत इष्ट बनवते. पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स, LEDs आणि उच्च-फ्रिक्वेंसी उपकरणे यांसारख्या उपकरणांची क्षमता वाढवण......
पुढे वाचा
ग्रेफाइट मोल्डिंगच्या 3 पद्धती
ग्रेफाइट मोल्डिंगच्या चार मुख्य मोल्डिंग पद्धती आहेत: एक्सट्रूजन मोल्डिंग, मोल्डिंग, व्हायब्रेटरी मोल्डिंग आणि आयसोस्टॅटिक मोल्डिंग. बाजारातील बहुतेक सामान्य कार्बन/ग्रेफाइट मटेरियल हॉट एक्सट्रूजन आणि मोल्डिंग (थंड किंवा गरम) द्वारे मोल्ड केले जातात आणि आयसोस्टॅटिक मोल्डिंग ही आघाडीची मोल्डिंग कामगि......
पुढे वाचा
आयसोस्टॅटिक ग्रेफाइट म्हणजे काय?
विशेष ग्रेफाइट म्हणजे 99.99% पेक्षा जास्त कार्बन वस्तुमान अपूर्णांक असलेले ग्रेफाइट, ज्याला "तीन उच्च ग्रेफाइट" (उच्च सामर्थ्य, उच्च घनता, उच्च शुद्धता) असेही म्हणतात. हे उच्च सामर्थ्य, उच्च घनता, उच्च शुद्धता, उच्च रासायनिक स्थिरता, उच्च थर्मल आणि विद्युत चालकता, उच्च तापमान प्रतिरोध, रेडिएशन प्रति......
पुढे वाचा
भौतिक वाष्प वाहतूक (PVT) सादर करत आहे
SiC ची स्वतःची वैशिष्ट्ये निर्धारित करतात की त्याची एकल क्रिस्टल वाढ अधिक कठीण आहे. वायुमंडलीय दाबावर Si:C=1:1 द्रव अवस्थेच्या अनुपस्थितीमुळे, अर्धसंवाहक उद्योगाच्या मुख्य प्रवाहाने अवलंबलेली अधिक परिपक्व वाढीची प्रक्रिया अधिक परिपक्व वाढीची पद्धत-सरळ ओढण्याची पद्धत, उतरत्या क्रुसिबलच्या वाढीसाठी वा......
पुढे वाचा
850V हाय पॉवर GaN HEMT एपिटॅक्सियल उत्पादने सोडली
नोव्हेंबर 2023 मध्ये, Semicorex ने उच्च-व्होल्टेज, उच्च-वर्तमान HEMT पॉवर उपकरण अनुप्रयोगांसाठी 850V GaN-on-Si epitaxial उत्पादने जारी केली. HMET पॉवर उपकरणांसाठी इतर सबस्ट्रेट्सच्या तुलनेत, GaN-on-Si मोठे वेफर आकार आणि अधिक वैविध्यपूर्ण ऍप्लिकेशन सक्षम करते आणि ते फॅब्समधील मुख्य प्रवाहातील सिलिकॉन......
पुढे वाचा
