SiC वेफर चक

SiC वेफर चकच्या गाभ्यामध्ये सामग्रीचे अत्याधुनिक मिश्रण आहे, ज्याचा आधार ग्रेफाइटपासून बनविला गेला आहे आणि रासायनिक वाफ डिपॉझिशन (CVD) SiC सह काळजीपूर्वक लेपित आहे. ग्रेफाइट आणि SiC कोटिंगचे हे संलयन केवळ अपवादात्मक टिकाऊपणा आणि थर्मल स्थिरता सुनिश्चित करत नाही तर उत्पादन प्रक्रियेदरम्यान नाजूक सेमीकंडक्टर वेफर्सच्या अखंडतेचे रक्षण करून कठोर रासायनिक वातावरणास अतुलनीय प्रतिकार देखील देते.

SiC वेफर चक अपवादात्मक थर्मल चालकता आहे, ज्यामुळे सेमीकंडक्टर फॅब्रिकेशन प्रक्रियेदरम्यान कार्यक्षम उष्णता नष्ट करणे सुलभ होते. ही क्षमता वेफर पृष्ठभागावरील थर्मल ग्रेडियंट्स कमी करते, अचूक सेमीकंडक्टर गुणधर्म प्राप्त करण्यासाठी एकसमान तापमान वितरण सुनिश्चित करते. CVD SiC कोटिंगच्या एकत्रीकरणाद्वारे, SiC वेफर चक उल्लेखनीय यांत्रिक सामर्थ्य आणि कडकपणा प्रदर्शित करते, वेफर प्रक्रियेदरम्यान आलेल्या मागणीच्या परिस्थितीला तोंड देण्यास सक्षम आहे. ही मजबुती विकृती किंवा नुकसान होण्याचा धोका कमी करते, अर्धसंवाहक वेफर्सच्या अखंडतेचे रक्षण करते आणि उत्पादन उत्पन्न वाढवते.

प्रत्येक SiC वेफर चक त्याच्या पृष्ठभागावर घट्ट सहिष्णुता आणि इष्टतम सपाटपणाची हमी देऊन, सूक्ष्म अचूक मशीनिंगमधून जातो. चक आणि सेमीकंडक्टर वेफर यांच्यात एकसमान संपर्क साधण्यासाठी, विश्वसनीय वेफर क्लॅम्पिंग सुलभ करण्यासाठी आणि सातत्यपूर्ण प्रक्रिया परिणाम सुनिश्चित करण्यासाठी ही अचूकता महत्त्वपूर्ण आहे.

SiC वेफर चकला एपिटॅक्सियल ग्रोथ, केमिकल वाफ डिपॉझिशन (CVD) आणि थर्मल प्रोसेसिंगसह विविध सेमीकंडक्टर उत्पादन प्रक्रियांमध्ये व्यापक अनुप्रयोग आढळतो. त्याची अष्टपैलुत्व आणि विश्वासार्हता गंभीर बनावटीच्या चरणांमध्ये SiC वेफर्सला समर्थन देण्यासाठी अपरिहार्य बनवते, शेवटी अतुलनीय कामगिरी आणि विश्वासार्हतेसह प्रगत सेमीकंडक्टर उपकरणांच्या निर्मितीमध्ये योगदान देते.