सिलिकॉन कार्बाइड ICP एचिंग प्लेट

सिलिकॉन कार्बाइड ICP एचिंग प्लेटएचिंग ऑपरेशन्समध्ये वेफर्ससाठी स्थिर समर्थन आणि अचूक पोझिशनिंग प्रदान करण्यात सक्षम आहे, कंपन किंवा विस्थापन द्वारे आणलेल्या एचिंग अचूकतेमध्ये होणारी घट कार्यक्षमतेने प्रतिबंधित करते.

सिलिकॉन कार्बाइड आयसीपी एचिंग प्लेटमध्ये थर्मल व्यवस्थापन क्षमता आहे. उत्कृष्ट थर्मल चालकताSIC सिरेमिकसिलिकॉन कार्बाइड आयसीपी एचिंग प्लेटला उष्णता त्वरीत नष्ट करण्याची क्षमता देते, ज्यामुळे वर्कपीसचे स्थानिक ओव्हरहाटिंग टाळता येते आणि एचिंग तापमानाची एकसमानता सुनिश्चित करण्यात मदत होते, ज्यामुळे नक्षीची गुणवत्ता सुधारते. SiC सिरॅमिक्समध्ये थर्मल विस्ताराचा कमी गुणांक असतो, जो सिलिकॉन कार्बाइड ICP एचिंग प्लेटला चांगली मितीय स्थिरता राखण्यास आणि थर्मल विस्तारामुळे वर्कपीसचे विस्थापन किंवा विकृती कमी करण्यास अनुमती देतो.

त्याच्या उत्कृष्ट कडकपणा आणि सामर्थ्य गुणधर्मांवर अवलंबून राहून, सिलिकॉन कार्बाइड ICP एचिंग प्लेट कमीतकमी विकृती किंवा नुकसानासह नक्षी प्रक्रियेदरम्यान येणारा यांत्रिक ताण आणि प्लाझ्मा प्रभाव सहन करण्याची क्षमता दर्शवते. ही क्षमता सेमीकंडक्टर उपकरणांचे उत्पादन आणि उत्पादन कार्यक्षमता प्रभावीपणे सुधारते.

ICP ऑपरेटिंग वातावरणासाठी सेमीकंडक्टर-स्तरीय स्वच्छता आवश्यक आहे. सेमिकोरेक्सची सिलिकॉन कार्बाइड आयसीपी एचिंग प्लेट ही आवश्यकता पूर्णपणे पूर्ण करू शकते, रासायनिक वायू (जसे की क्लोरीन आणि फ्लोरिन) आणि ICP एचिंग वातावरणातील प्लाझ्मा यांना अपवादात्मक प्रतिकार प्रदान करते. हे महत्त्वपूर्ण वैशिष्ट्य नक्षीकाम ऑपरेशन्स दरम्यान सोडलेल्या दूषित पदार्थांचे प्रमाण कमी करून प्रक्रियेचे वातावरण स्वच्छ ठेवते.

सेमिकोरेक्स वापरकर्त्याच्या सोयीला प्राधान्य देते, सिलिकॉन कार्बाइड ICP एचिंग प्लेटचे सानुकूलित डिझाइन ऑफर करते जे विद्यमान ICP एचिंग सिस्टमसह अखंडपणे एकत्रित होते आणि विविध कॉन्फिगरेशनशी सुसंगत असते. हे एक गुळगुळीत संक्रमणास अनुमती देते, ज्यामुळे ते उपकरण उत्पादकांसाठी एक आदर्श अपग्रेड समाधान बनते.