वेफर वाहक

उत्कृष्ट थर्मल चालकता: कार्यक्षम उष्णता हस्तांतरण सुलभ करणे, अर्धसंवाहक एपिटॅक्सियल वाढ प्रक्रियेदरम्यान आवश्यक.

· उच्च-तापमान प्रतिरोध: SiC कोटिंग अति उष्ण वातावरणाचा सामना करते, वाहक अणुभट्टीतील संपूर्ण थर्मल सायकलिंगमध्ये त्याची कार्यक्षमता राखते याची खात्री करते.

· रासायनिक गंज प्रतिकार: SiC कोटिंग वाहकांच्या ऑक्सिडेशन आणि गंज यांच्या प्रतिकारामध्ये लक्षणीयरीत्या सुधारणा करते ज्यांचा अनेकदा एपिटॅक्सी दरम्यान सामना करावा लागतो.

· आयामी स्थिरता: SiC आणि ग्रेफाइटचे संयोजन हे सुनिश्चित करते की वाहक वेळोवेळी त्याचे आकार आणि अचूकता टिकवून ठेवते, दीर्घ प्रक्रियेदरम्यान विकृत होण्याचा धोका कमी करते.

सेमीकंडक्टर एपिटॅक्सी ग्रोथमधील अनुप्रयोग

एपिटॅक्सी ही एक प्रक्रिया आहे जिथे अर्धसंवाहक सामग्रीचा पातळ थर थरावर, विशेषत: वेफरवर जमा केला जातो, ज्यामुळे क्रिस्टल जाळीची रचना तयार होते. या प्रक्रियेदरम्यान, वेफरची अचूक हाताळणी महत्त्वाची असते, कारण वेफर पोझिशनिंगमध्ये अगदी किरकोळ विचलनामुळे लेयरच्या संरचनेत दोष किंवा फरक होऊ शकतो.

या प्रक्रियेदरम्यान सेमीकंडक्टर वेफर्स सुरक्षितपणे धरलेले आणि योग्यरित्या ठेवलेले आहेत याची खात्री करण्यात वेफर कॅरियर महत्त्वाची भूमिका बजावते. SiC-कोटेड ग्रेफाइटचे संयोजन सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एपिटॅक्सीसाठी आवश्यक कार्यप्रदर्शन वैशिष्ट्ये वितरीत करते, एक प्रक्रिया ज्यामध्ये पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स आणि इतर प्रगत सेमीकंडक्टर ऍप्लिकेशन्समध्ये वापरण्यासाठी उच्च-शुद्धता असलेल्या SiC क्रिस्टल्सचा समावेश असतो.

विशेषतः, वेफर वाहक:

· तंतोतंत वेफर संरेखन प्रदान करते: वेफरवर एपिटॅक्सियल लेयरच्या वाढीमध्ये एकसमानता सुनिश्चित करणे, जे उपकरण उत्पन्न आणि कार्यक्षमतेसाठी महत्त्वपूर्ण आहे.

· थर्मल चक्रांचा सामना करते: SiC-कोटेड ग्रेफाइट स्थिर आणि विश्वासार्ह राहते, अगदी 2000°C पर्यंत उच्च-तापमानाच्या वातावरणात, संपूर्ण प्रक्रियेदरम्यान सुसंगत वेफर हाताळणी सुनिश्चित करते.

· वेफर दूषितता कमी करते: वाहकाची उच्च-शुद्धता सामग्रीची रचना हे सुनिश्चित करते की एपिटॅक्सियल वाढ प्रक्रियेदरम्यान वेफर अवांछित दूषित घटकांच्या संपर्कात येणार नाही.

सेमीकंडक्टर एपिटॅक्सी रिॲक्टर्समध्ये, वेफर वाहक रिॲक्टर चेंबरमध्ये ठेवलेले असते, जेथे ते वेफरसाठी सपोर्ट प्लॅटफॉर्म म्हणून कार्य करते. वाहक वेफरच्या अखंडतेशी तडजोड न करता उच्च तापमान आणि एपिटॅक्सियल वाढ प्रक्रियेत वापरल्या जाणाऱ्या प्रतिक्रियाशील वायूंच्या संपर्कात येण्याची परवानगी देतो. SiC कोटिंग उच्च-गुणवत्तेची, दोषमुक्त सामग्रीची वाढ सुनिश्चित करून, वायूंशी रासायनिक परस्परसंवाद रोखते.

SiC Coated Graphite Wafer Carrier चे फायदे

1. वर्धित टिकाऊपणा: SiC कोटिंग ग्रेफाइट सामग्रीची पोशाख प्रतिरोधक क्षमता वाढवते, ज्यामुळे अनेक वापरांमुळे ऱ्हास होण्याचा धोका कमी होतो.

2. उच्च-तापमान स्थिरता: वेफर वाहक एपिटॅक्सियल ग्रोथ फर्नेसमध्ये सामान्यतः तीव्र तापमान सहन करू शकते, त्याची संरचनात्मक अखंडता वापिंग किंवा क्रॅक न करता टिकवून ठेवू शकते.

3. सुधारित उत्पन्न आणि प्रक्रिया कार्यक्षमता: वेफर्स सुरक्षितपणे आणि सातत्याने हाताळले जातात याची खात्री करून, SiC-कोटेड ग्रेफाइट वेफर वाहक एपिटॅक्सियल वाढ प्रक्रियेचे एकूण उत्पन्न आणि कार्यक्षमता सुधारण्यास मदत करते.

4. कस्टमायझेशन पर्याय: वाहक वेगवेगळ्या एपिटॅक्सियल अणुभट्ट्यांच्या विशिष्ट गरजा पूर्ण करण्यासाठी आकार आणि कॉन्फिगरेशनच्या दृष्टीने सानुकूलित केले जाऊ शकतात, ज्यामुळे सेमीकंडक्टर अनुप्रयोगांच्या विस्तृत श्रेणीसाठी लवचिकता प्रदान केली जाते.

सेमीकोरेक्सSiC-लेपित ग्रेफाइटवेफर वाहक हा अर्धसंवाहक उद्योगातील एक महत्त्वाचा घटक आहे, जो एपिटॅक्सियल वाढीच्या प्रक्रियेदरम्यान वेफर हाताळण्यासाठी इष्टतम उपाय प्रदान करतो. थर्मल स्थिरता, रासायनिक प्रतिकार आणि यांत्रिक सामर्थ्य यांच्या संयोजनासह, ते सेमीकंडक्टर वेफर्सचे अचूक आणि विश्वासार्ह हाताळणी सुनिश्चित करते, ज्यामुळे उच्च-गुणवत्तेचे परिणाम आणि एपिटॅक्सी प्रक्रियांमध्ये सुधारित उत्पन्न मिळते. सिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सी किंवा इतर प्रगत सेमीकंडक्टर ऍप्लिकेशन्ससाठी, हे वेफर कॅरियर आधुनिक सेमीकंडक्टर उत्पादनाच्या अचूक मानकांची पूर्तता करण्यासाठी आवश्यक टिकाऊपणा आणि कार्यप्रदर्शन देते.