सेमीकोरेक्सचे ICP सिलिकॉन कार्बन कोटेड ग्रेफाइट हे वेफर हाताळणी आणि पातळ फिल्म डिपॉझिशन प्रक्रियेची मागणी करण्यासाठी आदर्श पर्याय आहे. आमचे उत्पादन उत्कृष्ट उष्णता आणि गंज प्रतिरोधकता, अगदी थर्मल एकसमानता आणि इष्टतम लॅमिनर गॅस फ्लो पॅटर्नचा अभिमान बाळगते.
एपिटॅक्सियल ग्रोथ प्रोसेसिंगमध्ये वापरल्या जाणार्या वेफर वाहकांना उच्च तापमान आणि कठोर रासायनिक साफसफाई सहन करावी लागते. सेमीकोरेक्स ICP सिलिकॉन कार्बन कोटेड ग्रेफाइट ससेप्टर्स विशेषत: या मागणी असलेल्या एपिटॅक्सी उपकरणांच्या ऍप्लिकेशन्ससाठी इंजिनियर केलेले आहेत. आमचे उत्पादन उच्च तापमान आणि कठोर रासायनिक साफसफाईचा सामना करण्यासाठी, दीर्घायुष्य आणि इष्टतम परिणाम सुनिश्चित करण्यासाठी इंजिनियर केलेले आहे.
आमचे ICP सिलिकॉन कार्बन कोटेड ग्रॅफाइट हे थर्मल प्रोफाइलची समानता सुनिश्चित करून सर्वोत्तम लॅमिनार गॅस प्रवाह पॅटर्न प्राप्त करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहे. हे वेफर चिपवर उच्च-गुणवत्तेची एपिटॅक्सियल वाढ सुनिश्चित करून कोणत्याही दूषित किंवा अशुद्धतेचा प्रसार रोखण्यास मदत करते.
आमच्या ICP सिलिकॉन कार्बन कोटेड ग्रेफाइटबद्दल अधिक जाणून घेण्यासाठी आजच आमच्याशी संपर्क साधा.
ICP सिलिकॉन कार्बन लेपित ग्रेफाइटचे मापदंड
CVD-SIC कोटिंगची मुख्य वैशिष्ट्ये |
||
SiC-CVD गुणधर्म |
||
क्रिस्टल स्ट्रक्चर |
FCC β फेज |
|
घनता |
g/cm ³ |
3.21 |
कडकपणा |
विकर्स कडकपणा |
2500 |
धान्य आकार |
μm |
२~१० |
रासायनिक शुद्धता |
% |
99.99995 |
उष्णता क्षमता |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
उदात्तीकरण तापमान |
℃ |
2700 |
फेलेक्सरल सामर्थ्य |
MPa (RT 4-पॉइंट) |
415 |
तरुणांचे मॉड्यूलस |
Gpa (4pt बेंड, 1300â) |
430 |
थर्मल विस्तार (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
औष्मिक प्रवाहकता |
(W/mK) |
300 |
ICP सिलिकॉन कार्बन कोटेड ग्रेफाइटची वैशिष्ट्ये
- सोलणे टाळा आणि सर्व पृष्ठभागावर कोटिंग सुनिश्चित करा
उच्च तापमान ऑक्सिडेशन प्रतिरोध: 1600 डिग्री सेल्सियस पर्यंत उच्च तापमानात स्थिर
उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनेशन परिस्थितीत CVD रासायनिक वाष्प जमा करून बनविलेले.
गंज प्रतिकार: उच्च कडकपणा, दाट पृष्ठभाग आणि सूक्ष्म कण.
गंज प्रतिकार: आम्ल, अल्कली, मीठ आणि सेंद्रिय अभिकर्मक.
- सर्वोत्कृष्ट लॅमिनार वायू प्रवाह नमुना प्राप्त करा
- थर्मल प्रोफाइलच्या समानतेची हमी
- कोणतीही दूषितता किंवा अशुद्धता पसरवण्यास प्रतिबंध करा