सिलिकॉन कार्बाइड ICP एचिंग कॅरियर

एचिंग प्रक्रियेसाठी विश्वसनीय वेफर वाहक शोधत आहात? Semicorex च्या Silicon Carbide ICP Etching Carrier पेक्षा पुढे पाहू नका. आमचे उत्पादन उच्च तापमान आणि कठोर रासायनिक साफसफाईचा सामना करण्यासाठी, टिकाऊपणा आणि दीर्घायुष्य सुनिश्चित करण्यासाठी इंजिनिअर केलेले आहे. स्वच्छ आणि गुळगुळीत पृष्ठभागासह, आमचा वाहक मूळ वेफर्स हाताळण्यासाठी योग्य आहे.

चौकशी पाठवा

उत्पादन वर्णन

सेमिकोरेक्सच्या सिलिकॉन कार्बाइड ICP एचिंग कॅरिअरसह इष्टतम लॅमिनार गॅस फ्लो पॅटर्न आणि थर्मल प्रोफाइलची समानता सुनिश्चित करा. पातळ फिल्म डिपॉझिशन आणि वेफर हाताळणी प्रक्रियेसाठी सर्वोत्तम संभाव्य परिणाम साध्य करण्यासाठी आमचे उत्पादन डिझाइन केले आहे. उच्च उष्णता आणि गंज प्रतिरोधकतेसह, आमचा वाहक मागणी अर्जांसाठी योग्य पर्याय आहे.

Semicorex वर, आम्ही आमच्या ग्राहकांना उच्च-गुणवत्तेची, किफायतशीर उत्पादने पुरवण्यावर लक्ष केंद्रित करतो. आमच्या सिलिकॉन कार्बाइड ICP एचिंग कॅरियरला किंमतीचा फायदा आहे आणि तो अनेक युरोपियन आणि अमेरिकन बाजारपेठांमध्ये निर्यात केला जातो. सातत्यपूर्ण दर्जेदार उत्पादने आणि अपवादात्मक ग्राहक सेवा वितरीत करून तुमचे दीर्घकालीन भागीदार बनण्याचे आमचे ध्येय आहे.

आमच्या Silicon Carbide ICP Etching Carrier बद्दल अधिक जाणून घेण्यासाठी आजच आमच्याशी संपर्क साधा.

सिलिकॉन कार्बाइड ICP एचिंग कॅरियरचे पॅरामीटर्स

CVD-SIC कोटिंगची मुख्य वैशिष्ट्ये
SiC-CVD गुणधर्म
क्रिस्टल स्ट्रक्चर	FCC Î² फेज
घनता	g/cm ³	3.21
कडकपणा	विकर्स कडकपणा	2500
धान्य आकार	Î¼m	२~१०
रासायनिक शुद्धता	%	99.99995
उष्णता क्षमता	J·kg-1 ·K-1	640
उदात्तीकरण तापमान	℃	2700
फेलेक्सरल सामर्थ्य	MPa (RT 4-पॉइंट)	415
तरुणांचे मॉड्यूलस	Gpa (4pt बेंड, 1300â)	430
थर्मल विस्तार (C.T.E)	10-6K-1	4.5
औष्मिक प्रवाहकता	(W/mK)	300