SiC लेपित ICP एचिंग वाहक

एपिटॅक्सी किंवा एमओसीव्हीडी सारख्या पातळ फिल्म डिपॉझिशन टप्प्यात वापरल्या जाणार्‍या वेफर वाहक किंवा एचिंगसारख्या वेफर हाताळणी प्रक्रियेत उच्च तापमान आणि कठोर रासायनिक साफसफाई सहन करावी लागते. सेमीकोरेक्स उच्च-शुद्धतेचा पुरवठा करते SiC कोटेड ICP एचिंग कॅरिअर उत्कृष्ट उष्णता प्रतिरोधकता, सुसंगत एपि लेयर जाडी आणि प्रतिकारासाठी थर्मल एकरूपता आणि टिकाऊ रासायनिक प्रतिकार प्रदान करते. फाइन SiC क्रिस्टल कोटिंग एक स्वच्छ, गुळगुळीत पृष्ठभाग प्रदान करते, हाताळण्यासाठी महत्त्वपूर्ण आहे कारण मूळ वेफर्स त्यांच्या संपूर्ण क्षेत्रामध्ये अनेक ठिकाणी ससेप्टरशी संपर्क साधतात.

आमचा SiC Coated ICP Etching Carrier सर्वोत्तम लॅमिनार गॅस प्रवाह पॅटर्न प्राप्त करण्यासाठी डिझाइन केले आहे, थर्मल प्रोफाइलची समानता सुनिश्चित करते. हे वेफर चिपवर उच्च-गुणवत्तेची एपिटॅक्सियल वाढ सुनिश्चित करून कोणत्याही दूषित किंवा अशुद्धतेचा प्रसार रोखण्यास मदत करते.

आमच्या SiC Coated ICP Etching Carrier बद्दल अधिक जाणून घेण्यासाठी आजच आमच्याशी संपर्क साधा.

SiC Coated ICP Etching Carrier चे पॅरामीटर्स

उच्च शुद्धता SiC Coated ICP Etching Carrier ची वैशिष्ट्ये

- सोलणे टाळा आणि सर्व पृष्ठभागावर कोटिंग सुनिश्चित करा

उच्च तापमान ऑक्सिडेशन प्रतिरोध: 1600 डिग्री सेल्सियस पर्यंत उच्च तापमानात स्थिर

उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनेशन परिस्थितीत CVD रासायनिक वाष्प जमा करून बनविलेले.

गंज प्रतिकार: उच्च कडकपणा, दाट पृष्ठभाग आणि सूक्ष्म कण.

गंज प्रतिकार: आम्ल, अल्कली, मीठ आणि सेंद्रिय अभिकर्मक.

- सर्वोत्कृष्ट लॅमिनार वायू प्रवाह नमुना प्राप्त करा

- थर्मल प्रोफाइलच्या समानतेची हमी

- कोणतीही दूषितता किंवा अशुद्धता पसरवण्यास प्रतिबंध करा