मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन प्लानर लक्ष्य

मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉनप्लॅनर टार्गेटवर सामान्यत: झोक्रॅल्स्की पद्धतीने तयार केलेल्या मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन इंगॉट्सपासून उच्च-सुस्पष्ट कटिंग उपकरणाद्वारे प्रक्रिया केली जाते. ग्राहकांच्या गरजा पूर्ण करण्यासाठी, मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन प्लॅनर लक्ष्य आपल्या आदरणीय ग्राहकांसाठी इच्छित आकारात कापले जाऊ शकते. अचूक ग्राइंडिंग आणि पॉलिशिंग प्रक्रिया तंत्रज्ञान लक्ष्यित सामग्रीच्या उत्कृष्ट पृष्ठभागाची सपाटता सुनिश्चित करते, पातळ फिल्म्स ठेवण्याची मजबूत हमी देते.

मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन प्लॅनर टार्गेट व्हॅक्यूम रिॲक्शन चेंबरमध्ये फिल्म डिपॉझिशन प्रक्रियेदरम्यान लेपित केलेल्या सब्सट्रेटसह आत ठेवले जाते. जेव्हा मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन प्लॅनर लक्ष्यावर उच्च-ऊर्जा आयनांचा भडिमार केला जातो, तेव्हा त्याच्या पृष्ठभागावरील सिलिकॉन अणू थुंकले जातात. हे थुंकलेले सिलिकॉन अणू नंतर स्थलांतर करतात आणि सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर जमा होतात, शेवटी सिलिकॉन पातळ फिल्म तयार करतात.

मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन प्लॅनर लक्ष्य पातळ-फिल्म डिपॉझिशनसाठी भौतिक स्रोत म्हणून काम करते. वेफर पृष्ठभागावर जमा केलेले सर्व सिलिकॉन अणू मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन प्लॅनर लक्ष्यांपासून उद्भवतात. म्हणून, मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन प्लॅनर लक्ष्याची गुणवत्ता थेट जमा केलेल्या पातळ फिल्मची शुद्धता, एकसमानता आणि इतर मुख्य गुणधर्म निर्धारित करते.

उत्कृष्ट शुद्धता वैशिष्ट्य मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन प्लॅनर टार्गेट देते आणि पातळ फिल्मला दूषित होण्यापासून अशुद्धता रोखण्याची क्षमता देते. हे सेमीकंडक्टर उपकरणांच्या विद्युत कार्यक्षमतेत लक्षणीय सुधारणा करते. पातळ फिल्म्सची एकसमानता आणि आसंजन यांच्या सुधारणेमुळे त्याच्या अत्यंत क्रमबद्ध क्रिस्टल स्ट्रक्चरचा फायदा होतो, ज्यामुळे थुंकणारे कण स्थलांतरित होतात आणि वेफर पृष्ठभागावर अधिक नियमितपणे जमा होतात. प्लॅनर स्ट्रक्चर डिझाइन मोठ्या-क्षेत्र आणि उच्च-स्पीड स्पटरिंग आवश्यकतांसाठी योग्य आहे आणि सेमीकंडक्टर वेफर्स आणि डिस्प्ले पॅनेल सारख्या मोठ्या प्रमाणात उत्पादन परिस्थितीसाठी लागू आहे.