एपिटॅक्सियल वेफर प्रक्रिया हे सेमीकंडक्टर उत्पादनात वापरले जाणारे एक गंभीर तंत्र आहे. यामध्ये सब्सट्रेटच्या वर क्रिस्टल मटेरियलच्या पातळ थराची वाढ होते, ज्याची क्रिस्टल रचना आणि सब्सट्रेट सारखीच दिशा असते. ही प्रक्रिया दोन सामग्रीमध्ये उच्च-गुणवत्तेचा इंटरफेस तयार करते, प्रगत इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्य......
पुढे वाचासिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एपिटॅक्सी हे सेमीकंडक्टर्सच्या क्षेत्रातील एक प्रमुख तंत्रज्ञान आहे, विशेषत: उच्च-शक्तीच्या इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या विकासासाठी. SiC हे विस्तृत बँडगॅप असलेले कंपाऊंड सेमीकंडक्टर आहे, जे उच्च-तापमान आणि उच्च-व्होल्टेज ऑपरेशन आवश्यक असलेल्या अनुप्रयोगांसाठी ते आदर्श बनवते.
पुढे वाचासेमीकंडक्टर ही अशी सामग्री आहे जी कंडक्टर आणि इन्सुलेटर यांच्यातील विद्युत गुणधर्मांचे मार्गदर्शन करतात, अणु केंद्राच्या सर्वात बाहेरील थरातील इलेक्ट्रॉनच्या नुकसान आणि वाढीच्या समान संभाव्यतेसह आणि सहजपणे PN जंक्शन बनवले जातात. जसे की "सिलिकॉन (Si)", "germanium (Ge)" आणि इतर साहित्य.
पुढे वाचा