बातम्या

चिप मॅन्युफॅक्चरिंगमध्ये SiGe: एक व्यावसायिक बातम्या अहवाल

आधुनिक सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानाच्या क्षेत्रात उच्च कार्यक्षमता आणि कमी उर्जा वापराच्या मागणीची पूर्तता करण्यासाठी, SiGe (सिलिकॉन जर्मेनियम) त्याच्या अद्वितीय भौतिक आणि विद्युत गुणधर्मांमुळे सेमीकंडक्टर चिप उत्पादनामध्ये निवडीची एक संमिश्र सामग्री म्हणून उदयास आली आहे.

पुढे वाचा

सेमीकंडक्टरमधील एकक: अँग्स्ट्रॉम

लांबीचे एकक म्हणून, अँग्स्ट्रॉम (Å) एकात्मिक सर्किट उत्पादनामध्ये सर्वव्यापी आहे. सामग्रीच्या जाडीच्या अचूक नियंत्रणापासून ते उपकरणाच्या आकाराचे सूक्ष्मीकरण आणि ऑप्टिमायझेशनपर्यंत, सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानाचा सतत विकास सुनिश्चित करण्यासाठी अँग्स्ट्रॉम स्केल समजून घेणे आणि त्याचा वापर करणे हा मुख्य भाग......

पुढे वाचा

उच्च-शुद्धता सिलिकॉन कार्बाइड पावडरचे संश्लेषण

उच्च-शुद्धता सिलिकॉन कार्बाइड पावडरमध्ये अपवादात्मक रुंद बँडगॅप वैशिष्ट्ये आहेत, जी उच्च-फ्रिक्वेंसी, उच्च-शक्ती इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या निर्मितीसाठी एक आदर्श सामग्री बनवतात.

पुढे वाचा

जवळपास $840 दशलक्ष: Onsemi एक SiC कंपनी मिळवते

आज, Onsemi ने त्यांच्या अधिकृत वेबसाइटवर जाहीर केले की त्यांनी Qorvo सोबत SiC JFET तंत्रज्ञान व्यवसाय आणि Qorvo ची उपकंपनी मिळवण्यासाठी करार केला आहे.

पुढे वाचा

ग्राफिटायझेशन आणि कार्बनायझेशनमध्ये काय फरक आहे

शेवटी, ग्रेफिटायझेशन आणि कार्बनायझेशन या दोन्ही औद्योगिक प्रक्रिया आहेत ज्यात कार्बन एकतर अभिक्रियाकारक किंवा उत्पादन म्हणून समाविष्ट आहे. कार्बनीकरण म्हणजे सेंद्रिय पदार्थांचे कार्बनमध्ये रूपांतर करण्याच्या प्रक्रियेला संदर्भित करते, तर ग्राफिटायझेशनमध्ये कार्बनचे ग्रेफाइटमध्ये रूपांतर करणे समाविष्......

पुढे वाचा

एचिंग प्रक्रिया पॅरामीटर्स

सिलिकॉन वेफर्सवर मिनीट सर्किट स्ट्रक्चर्स तयार करण्यासाठी वापरल्या जाणाऱ्या चिप मॅन्युफॅक्चरिंगमध्ये एचिंग ही एक महत्त्वाची पायरी आहे.

पुढे वाचा

<...6 7 8 9 10...40 >