Aixtron G5 साठी 6'' वेफर कॅरियर

Aixtron G5 साठी Semicorex 6'' Wafer Carrier, ज्याला अनेकदा ससेप्टर्स म्हणून संबोधले जाते, उच्च-तापमान प्रक्रियेदरम्यान सेमीकंडक्टर वेफर्स सुरक्षितपणे धरून एक आवश्यक भूमिका बजावते. ससेप्टर्स हे सुनिश्चित करतात की वेफर्स स्थिर स्थितीत राहतील, जे एकसमान थर ठेवण्यासाठी महत्त्वपूर्ण आहे:

थर्मल व्यवस्थापन:

Aixtron G5 साठी 6'' वेफर वाहक वेफरच्या पृष्ठभागावर एकसमान गरम आणि कूलिंग प्रदान करण्यासाठी डिझाइन केले आहे, जे उच्च-गुणवत्तेचे अर्धसंवाहक स्तर तयार करण्यासाठी वापरल्या जाणाऱ्या एपिटॅक्सियल वाढ प्रक्रियेसाठी महत्त्वपूर्ण आहे.

एपिटॅक्सियल वाढ:

SiC आणि GaN स्तर:

Aixtron G5 प्लॅटफॉर्मचा वापर प्रामुख्याने SiC आणि GaN थरांच्या एपिटॅक्सियल वाढीसाठी केला जातो. उच्च-इलेक्ट्रॉन-मोबिलिटी ट्रान्झिस्टर (HEMTs), LEDs आणि इतर प्रगत अर्धसंवाहक उपकरणांच्या निर्मितीमध्ये हे स्तर मूलभूत आहेत.

अचूकता आणि एकरूपता:

एपिटॅक्सियल ग्रोथ प्रक्रियेमध्ये आवश्यक असलेली उच्च सुस्पष्टता आणि एकसमानता Aixtron G5 साठी 6'' वेफर कॅरियरच्या अपवादात्मक गुणधर्मांमुळे सुलभ होते. वाहक उच्च-कार्यक्षमता असलेल्या सेमीकंडक्टर उपकरणांसाठी आवश्यक कठोर जाडी आणि रचना एकरूपता प्राप्त करण्यास मदत करतात.

फायदे:

उच्च तापमान स्थिरता:

कमाल तापमान सहिष्णुता:

Aixtron G5 साठी 6'' वेफर कॅरियर अत्यंत उच्च तापमान सहन करू शकते, अनेकदा 1600°C पेक्षा जास्त. ही स्थिरता एपिटॅक्सियल प्रक्रियांसाठी महत्त्वपूर्ण आहे ज्यांना दीर्घकाळापर्यंत उच्च तापमानाची आवश्यकता असते.

थर्मल अखंडता:

अशा उच्च तापमानात संरचनात्मक अखंडता राखण्यासाठी Aixtron G5 साठी 6'' वेफर कॅरियरची क्षमता सातत्यपूर्ण कामगिरी सुनिश्चित करते आणि थर्मल डिग्रेडेशनचा धोका कमी करते, ज्यामुळे सेमीकंडक्टर स्तरांच्या गुणवत्तेशी तडजोड होऊ शकते.

उत्कृष्ट थर्मल चालकता:

उष्णता वितरण:

SiC ची उच्च थर्मल चालकता वेफर पृष्ठभागावर कार्यक्षम उष्णता हस्तांतरण सुलभ करते, एकसमान तापमान प्रोफाइल सुनिश्चित करते. ही एकसमानता थर्मल ग्रेडियंट टाळण्याकरता अत्यावश्यक आहे ज्यामुळे एपिटॅक्सियल लेयर्समध्ये दोष आणि गैर-एकरूपता येऊ शकते.

वर्धित प्रक्रिया नियंत्रण:

सुधारित थर्मल व्यवस्थापन एपिटॅक्सियल वाढ प्रक्रियेवर चांगले नियंत्रण ठेवण्यास अनुमती देते, कमी दोषांसह उच्च दर्जाचे अर्धसंवाहक स्तरांचे उत्पादन सक्षम करते.

रासायनिक प्रतिकार:

संक्षारक पर्यावरण सुसंगतता:

Aixtron G5 साठी 6'' वेफर वाहक हायड्रोजन आणि अमोनिया यांसारख्या सामान्यतः CVD प्रक्रियेत वापरल्या जाणाऱ्या संक्षारक वायूंना अपवादात्मक प्रतिकार प्रदान करते. हा प्रतिकार ग्रेफाइट सब्सट्रेटला रासायनिक हल्ल्यापासून वाचवून वेफर वाहकांचे आयुष्य वाढवते.

कमी देखभाल खर्च:

Aixtron G5 साठी 6'' Wafer Carrier ची टिकाऊपणा देखभाल आणि बदलीची वारंवारता कमी करते, ज्यामुळे ऑपरेशनल खर्च कमी होतो आणि Aixtron G5 उपकरणांसाठी अपटाइम वाढतो.

थर्मल विस्ताराचे कमी गुणांक (CTE):

किमान थर्मल ताण:

SiC ची कमी CTE एपिटॅक्सियल वाढीच्या प्रक्रियेत अंतर्भूत असलेल्या जलद गरम आणि थंड चक्र दरम्यान थर्मल ताण कमी करण्यास मदत करते. थर्मल स्ट्रेसमधील ही घट वेफर क्रॅकिंग किंवा वार्पिंगची शक्यता कमी करते, ज्यामुळे डिव्हाइस निकामी होऊ शकते.

Aixtron G5 उपकरणांसह सुसंगतता:

अनुरूप डिझाइन:

Aixtron G5 साठी Semicorex 6'' Wafer Carrier विशेषत: Aixtron G5 उपकरणांशी सुसंगत असण्यासाठी, इष्टतम कार्यप्रदर्शन आणि अखंड एकीकरण सुनिश्चित करण्यासाठी इंजिनिअर केले आहे.

कमाल कामगिरी:

ही सुसंगतता Aixtron G5 प्रणालीची कार्यक्षमता आणि कार्यक्षमता वाढवते, ज्यामुळे आधुनिक सेमीकंडक्टर उत्पादन प्रक्रियेच्या अचूक आवश्यकता पूर्ण करणे शक्य होते.