GaN Epitaxy वाहक

सेमीकोरेक्स GaN Epitaxy वाहक भट्टीमध्ये सुरक्षितपणे वेफर्सची वाहतूक करण्यात उत्कृष्ट कामगिरी करते आणि वेफर एपिटॅक्सियल प्रक्रियेसाठी इंजिनियर केलेले असते. उच्च-गुणवत्तेचे, पुनरुत्पादन करण्यायोग्य पातळ चित्रपट आणि प्रगत इलेक्ट्रॉनिक आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या निर्मितीसाठी आवश्यक असलेले एपिटॅक्सियल स्तर मिळविण्यासाठी GaN Epitaxy वाहक महत्त्वपूर्ण आहे.

GaN Epitaxy Carrier च्या ग्रेफाइट सब्सट्रेटला अत्याधुनिक रासायनिक वाष्प डिपॉझिशन (CVD) सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) कोटिंगसह वर्धित केले जाते. हा SiC थर रासायनिक वाष्प साठा करून काळजीपूर्वक लागू केला जातो, ज्यामुळे रासायनिक अभिक्रियांपासून मजबूत संरक्षण मिळते आणि एपिटॅक्सी प्रक्रियेदरम्यान पोशाख होतो. याव्यतिरिक्त, GaN Epitaxy वाहकाचे SiC कोटिंग वाहकाचे थर्मल गुणधर्म सुधारते, वेफर्सचे कार्यक्षम आणि एकसमान गरम करणे सुलभ करते. सेमीकंडक्टर वेफर्सवर सातत्यपूर्ण आणि उच्च-गुणवत्तेचे एपिटॅक्सियल स्तर तयार करण्यासाठी अशी एकसमान गरम करणे आवश्यक आहे.

विविध सेमीकंडक्टर वेफर आकारांमध्ये फिट करण्यासाठी सानुकूल करण्यायोग्य, Semicorex GaN Epitaxy Carrier विविध उत्पादन गरजांसाठी एक बहुमुखी उपाय आहे. विशिष्ट आकार, आकार किंवा कोटिंगची जाडी आवश्यक असली तरीही, आमचा कार्यसंघ क्लायंटसह त्यांच्या अचूक वैशिष्ट्यांची पूर्तता करणारे आणि त्यांच्या अद्वितीय अनुप्रयोगांसाठी कार्यप्रदर्शन ऑप्टिमाइझ करणारे समाधान विकसित करण्यासाठी सहयोग करते.