- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
बातम्या
मॉडर्न सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंगमध्ये एनीलिंग प्रक्रिया
तंत्रज्ञान नोड्स कमी होत असताना, अति-उथळ जंक्शन्सची निर्मिती महत्त्वपूर्ण आव्हाने सादर करते. रॅपिड थर्मल ॲनिलिंग (आरटीए) आणि फ्लॅश लॅम्प ॲनिलिंग (एफएलए) सह थर्मल ॲनिलिंग प्रक्रिया ही महत्त्वाची तंत्रे आहेत जी उच्च अशुद्धता सक्रियता दर राखतात आणि प्रसार कमी करून, इष्टतम उपकरणाची कार्यक्षमता सुनिश्चित......
पुढे वाचा
सिरेमिक इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक प्रत्यक्षात कसे तयार केले जातात?
सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंगमध्ये, एचिंग प्रक्रियेची अचूकता आणि स्थिरता सर्वोपरि आहे. उच्च-गुणवत्तेचे कोरीव काम साध्य करण्यासाठी एक महत्त्वाचा घटक म्हणजे प्रक्रियेदरम्यान वेफर्स ट्रेवर पूर्णपणे सपाट असल्याची खात्री करणे. कोणतेही विचलन असमान आयन भडिमारास कारणीभूत ठरू शकते, ज्यामुळे अवांछित कोन आणि कोर......
पुढे वाचा
प्रारंभिक वाढीच्या टप्प्यात तापमान ग्रेडियंट नियंत्रणाद्वारे उच्च-गुणवत्तेची SiC क्रिस्टल वाढ प्राप्त करणे
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) ही एक वाइड-बँडगॅप सेमीकंडक्टर मटेरियल आहे ज्याने अलिकडच्या वर्षांत उच्च-व्होल्टेज आणि उच्च-तापमान अनुप्रयोगांमध्ये त्याच्या अपवादात्मक कामगिरीमुळे लक्षणीय लक्ष वेधले आहे. हा अभ्यास पद्धतशीरपणे सुधारित प्रक्रिया परिस्थिती वापरून वाढवलेल्या SiC क्रिस्टल्सच्या विविध वैशिष्ट्यांचा......
पुढे वाचा
