वेफर प्रक्रियेसाठी PSS एचिंग कॅरियर ट्रे

वेफर प्रोसेसिंगसाठी Semicorex चे PSS Etching Carrier Tra विशेषत: मागणी असलेल्या एपिटॅक्सी उपकरणांच्या ऍप्लिकेशनसाठी डिझाइन केले आहे. आमचा अल्ट्रा-प्युअर ग्रेफाइट वाहक MOCVD, एपिटॅक्सी ससेप्टर्स, पॅनकेक किंवा सॅटेलाइट प्लॅटफॉर्म आणि वेफर हाताळणी प्रक्रिया जसे की एचिंगसारख्या पातळ-फिल्म डिपॉझिशन टप्प्यांसाठी आदर्श आहे. वेफर प्रोसेसिंगसाठी PSS एचिंग कॅरियर ट्रेमध्ये उच्च उष्णता आणि गंज प्रतिरोधक, उत्कृष्ट उष्णता वितरण गुणधर्म आणि उच्च थर्मल चालकता आहे. आमची उत्पादने किफायतशीर आहेत आणि किंमतीचा चांगला फायदा आहे. आम्ही बऱ्याच युरोपियन आणि अमेरिकन बाजारपेठांची पूर्तता करतो आणि चीनमध्ये तुमचा दीर्घकालीन भागीदार बनण्यास उत्सुक आहोत.

चौकशी पाठवा

उत्पादन वर्णन

सेमिकोरेक्सच्या वेफर प्रक्रियेसाठी PSS एचिंग कॅरियर ट्रे एपिटॅक्सियल वाढ आणि वेफर हाताळणी प्रक्रियेसाठी आवश्यक असलेल्या कठोर वातावरणासाठी तयार केली गेली आहे. आमचा अल्ट्रा-प्युअर ग्रेफाइट वाहक MOCVD आणि एपिटॅक्सी ससेप्टर्स, पॅनकेक किंवा सॅटेलाइट प्लॅटफॉर्म सारख्या पातळ-फिल्म डिपॉझिशन टप्प्यांमध्ये वेफर्सला समर्थन देण्यासाठी डिझाइन केलेले आहे. SiC लेपित वाहक उच्च उष्णता आणि गंज प्रतिकार, उत्कृष्ट उष्णता वितरण गुणधर्म आणि उच्च थर्मल चालकता आहे. आमची उत्पादने किफायतशीर आहेत आणि किंमतीचा चांगला फायदा देतात.

वेफर प्रक्रियेसाठी PSS एचिंग कॅरियर ट्रेचे पॅरामीटर्स

CVD-SIC कोटिंगची मुख्य वैशिष्ट्ये
SiC-CVD गुणधर्म
क्रिस्टल स्ट्रक्चर	FCC β फेज
घनता	g/cm ³	3.21
कडकपणा	विकर्स कडकपणा	2500
धान्य आकार	μm	२~१०
रासायनिक शुद्धता	%	99.99995
उष्णता क्षमता	J kg-1 K-1	640
उदात्तीकरण तापमान	℃	2700
फेलेक्सरल सामर्थ्य	MPa (RT 4-पॉइंट)	415
तरुणांचे मॉड्यूलस	Gpa (4pt बेंड, 1300℃)	430
थर्मल विस्तार (C.T.E)	10-6K-1	4.5
थर्मल चालकता	(W/mK)	300