SiC-लेपित एपिटॅक्सियल ससेप्टर्स

सेमीकंडक्टरsubstratesवायू प्रवाहाची दिशा (क्षैतिज आणि अनुलंब), तापमान, दाब, सब्सट्रेट फिक्सेशन आणि कण दूषित होणे यासह अनेक गंभीर घटकांच्या प्रभावामुळे एपिटॅक्सियल डिपॉझिशन दरम्यान MOCVD किंवा CVD उपकरणांमध्ये बेसवर थेट सेट केले जाऊ शकत नाही. या कारणास्तव, सेमीकंडक्टर सबस्ट्रेट्सना समर्थन आणि सुरक्षित करण्यासाठी एपिटॅक्सियल ससेप्टर्सना MOCVD/CVD सिस्टीममधील रिॲक्शन चेंबरच्या मध्यभागी स्थित करणे आवश्यक आहे, अशा प्रकारे कंपन किंवा स्थितीत विस्थापनामुळे होणारी एपिटॅक्सियल वाढ गुणवत्ता ऱ्हास टाळता येईल.

उच्च-शुद्धता ग्रेफाइट सेमिकोरेक्ससाठी मॅट्रिक्स सामग्री म्हणून वापरली जातेSiC-लेपित एपिटेक्सियल ससेप्टर्स, प्रगत CVD तंत्रांद्वारे त्यांच्या पृष्ठभागावर जमा केलेल्या सिलिकॉन कार्बाइड लेपसह. सेमीकोरेक्स SiC-कोटेड एपिटॅक्सियल ससेप्टर्स हे एपिटॅक्सियल लेयर निर्मिती प्रक्रियेतील अपरिहार्य घटक आहेत. सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट्सवरील एपिटॅक्सियल लेयरच्या वाढीसाठी स्थिर आणि नियंत्रण करण्यायोग्य ऑपरेटिंग वातावरण प्रदान करणे ही त्यांची प्राथमिक भूमिका आहे, ज्यामुळे वेफर पृष्ठभागाच्या गुणवत्तेची सुसंगतता सुनिश्चित होऊ शकते.

Semicorex SiC-लेपित एपिटॅक्सियल ससेप्टर्सची वैशिष्ट्ये

1. 1600℃ ऑपरेटिंग परिस्थितीचा सामना करण्यासाठी उत्कृष्ट उच्च-तापमान प्रतिकार.

2.उच्च थर्मल चालकता, सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट्सवर समान तापमान वितरण राखण्यासाठी जलद उष्णता हस्तांतरण प्रदान करते.

3. रासायनिक ऱ्हास आणि गंज यांना प्रतिकार करण्यासाठी मजबूत रासायनिक गंज प्रतिकार, सब्सट्रेट्स आणि एपिटॅक्सियल लेयर्सची प्रक्रिया दूषित होणे टाळते.

4. कोटिंग क्रॅक आणि डेलेमिनेशनची घटना टाळण्यासाठी उत्कृष्ट थर्मल शॉक प्रतिरोध.

5.असाधारण पृष्ठभाग सपाटपणा, अंतर आणि दोष कमी करणाऱ्या सब्सट्रेट्समध्ये चोखपणे बसवणे.

6. दीर्घ सेवा आयुष्य, भाग बदलणे आणि देखभाल यामुळे होणारा वेळ आणि आर्थिक नुकसान कमी करणे.

सेमिकोरेक्स SiC-लेपित एपिटॅक्सियल ससेप्टर्सचे अनुप्रयोग

अनेक उत्कृष्ट फायद्यांसह, Semicorex SiC-coated epitaxial susceptors epitaxial thin films ची एकसमान आणि नियंत्रण करण्यायोग्य वाढ सुलभ करण्यात महत्त्वाची भूमिका बजावतात आणि सेमीकंडक्टर एपिटॅक्सियल ग्रोथ प्रक्रियेत मोठ्या प्रमाणावर लागू होतात.

1.GaN एपिटॅक्सियल वाढ

2.SiC epitaxial वाढ

3.Si epitaxial वाढ