सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉन इलेक्ट्रोड्स

सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉन इलेक्ट्रोडसामान्यतः एचिंग चेंबरच्या शीर्षस्थानी स्थापित केले जातात, वरच्या इलेक्ट्रोड म्हणून काम करतात. सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉन इलेक्ट्रोडच्या पृष्ठभागावर समान रीतीने वितरित मायक्रोहोल असतात, जे समान रीतीने रिॲक्शन चेंबरमध्ये एचिंग गॅस वितरीत करू शकतात. एचिंग प्रक्रियेदरम्यान, ते एकसमान विद्युत क्षेत्र निर्माण करण्यासाठी खालच्या इलेक्ट्रोडसह कार्य करतात, जे अचूक नक्षीसाठी एक आदर्श ऑपरेटिंग स्थिती प्रदान करण्यात योगदान देते.

काळजीपूर्वक साहित्य निवड

सेमिकोरेक्स सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉन इलेक्ट्रोड तयार करण्यासाठी प्रीमियम MCZ-उगवलेले मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन निवडते, जे उद्योग-अग्रणी उत्पादन कामगिरी आणि गुणवत्ता देते.

1. अति-उच्च शुद्धता

सेमीकोरेक्स सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉन इलेक्ट्रोड्समध्ये 99.9999999% पेक्षा जास्त उच्च शुद्धता आहे, याचा अर्थ अंतर्गत धातूच्या अशुद्धतेची सामग्री अत्यंत कमी आहे.

2. अपवादात्मक प्रतिकार एकरूपता

पारंपारिक CZ सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉनपेक्षा वेगळे, Semicorex द्वारे वापरलेले MCZ-उगवलेले मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन 5% पेक्षा कमी प्रतिरोधक एकरूपता प्राप्त करते. त्याची कमी रेस. 0.02 Ω·cm खाली नियंत्रित केले जाते, मध्य रेस. 0.2 आणि 25Ω·cm, आणि उच्च रिजोल्यूशन दरम्यान आहे. 70-90 Ω·cm दरम्यान आहे (विनंती केल्यावर सानुकूलीकरण उपलब्ध आहे).

3. उत्कृष्ट साहित्य रचना

MCZ पद्धतीद्वारे उगवलेले सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉन अधिक स्थिर रचना आणि कमी दोष देते, ज्यामुळे सेमिकोरेक्स सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉन इलेक्ट्रोड्स प्लाझ्मा गंज प्रतिरोधक क्षमता देतात आणि कठोर कोरीव कामाच्या परिस्थितीला तोंड देतात.

---

उच्च-मानक प्रक्रिया अचूकता

सेमीकोरेक्ससिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉनइलेक्ट्रोड्स सिलिकॉन इनगॉटपासून तयार उत्पादनापर्यंत संपूर्ण उत्पादन प्रक्रियेद्वारे तयार केले जातात, ज्यामध्ये स्लाइसिंग, पृष्ठभाग ग्राइंडिंग, होल ड्रिलिंग, ओले एचिंग आणि पृष्ठभाग पॉलिशिंग समाविष्ट आहे. इलेक्ट्रोडचा व्यास, जाडी, पृष्ठभागाची समतलता, छिद्रांमधील अंतर आणि छिद्र आदर्श सहिष्णुतेमध्ये राखले जातात याची खात्री करण्यासाठी सेमीकोरेक्स प्रत्येक चरणात कठोर अचूक नियंत्रण राखते.

1. मायक्रोहोल प्रक्रिया

सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉन इलेक्ट्रोडवरील सूक्ष्म-छिद्रांमध्ये एकसमान अंतर आणि सुसंगत व्यास (0.2 ते 0.8 मिमी पर्यंत) गुळगुळीत आणि बुर-मुक्त आतील भिंती असतात. हे प्रभावीपणे एचिंग गॅसच्या एकसमान आणि स्थिर पुरवठ्याची हमी देते, त्यामुळे वेफर एचिंगची एकसमानता आणि अचूकता सुनिश्चित होते.

2. प्रक्रिया अचूकता

सेमिकोरेक्स सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉन इलेक्ट्रोड्सची प्रक्रिया अचूकता 0.3 मिमीच्या आत नियंत्रित केली जाते आणि त्यांची पॉलिशिंग अचूकता 0.1 µm खाली काटेकोरपणे नियंत्रित केली जाऊ शकते आणि बारीक पीसणे 1.6 µm पेक्षा कमी आहे.